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1. (WO2006014082) THERMAL OXIDE FORMATION APPARATUS AND THE METHOD BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION IN WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/014082    International Application No.:    PCT/KR2005/002539
Publication Date: 09.02.2006 International Filing Date: 04.08.2005
Chapter 2 Demand Filed:    05.06.2006    
IPC:
H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD. [KR/KR]; 4-3, Chaam-Dong, Cheonan, Chungcheongnam-Do 330-200 (KR) (For All Designated States Except US).
UM, Pyung-yong [CA/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: UM, Pyung-yong; (KR)
Agent: JO, Chi-hoon; 5F., Ewha Bldg, 736-18 Yoksam-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-080 (KR)
Priority Data:
10-2004-0061307 04.08.2004 KR
Title (EN) THERMAL OXIDE FORMATION APPARATUS AND THE METHOD BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION IN WAFER
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE FORMATION D'OXYDE THERMIQUE PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR SUR UNE PLAQUETTE
Abstract: front page image
(EN)There is provided an apparatus for depositing a thermal oxide film on a semiconductor substrate using single chamber chemical vapor deposition, the apparatus having a chamber that includes a gas inlet line to which a reaction gas flows, a shower head for spraying the received reaction gas, a heater in which a wafer is settled, a heater supporting unit for supporting the heater, and a vacuum port for exhausting the reaction gas. The apparatus includes a TEOS gas storage unit connected to the gas inlet line to supply TEOS gas to the chamber, a controller for controlling the TEOS gas stored in the TEOS gas storage unit to be supplied by a predetermined amount when required and to be maintained at predetermined temperature, a vaporizer for vaporizing the TEOS gas supplied from theTEOS gas storage unit to be no less than predetermined temperature, a carrier gas storage unit connected to the outlet of the vaporizer to supply an inert gas to the chambertogether with the vaporized TEOS gas, and a second reaction gas storage unit connected to the inlet of the chamber to supply O2 gas that is a second reaction gas.
(FR)Appareil servant à déposer une pellicule d'oxyde thermique sur un substrat semi-conducteur par dépôt chimique en phase vapeur en chambre unique, l'appareil possédant une chambre comprenant une conduite d'admission de gaz dans laquelle s'écoule un gaz de réaction, une 'pomme de douche' pour vaporiser le gaz de réaction reçu, un élément chauffant dans lequel une plaquette est disposée, une unité de support d'élément chauffant et un accès au vide pour laisser s'échapper le gaz de réaction. L'appareil comprend une unité de stockage de gaz TEOS reliée à la conduite d'admission de gaz pour fournir du gaz TEOS à la chambre, un moyen de commande pour que le gaz TEOS stocké dans l'unité de stockage du gaz TEOS soit fourni en quantité prédéterminée lorsque cela est nécessaire et maintenu à une température prédéterminée, un vaporisateur pour que le gaz TEOS fourni par l'unité de stockage soit vaporisé à une température supérieure ou égale à la température prédéterminée, une unité de stockage de gaz porteur reliée à la sortie du vaporisateur pour fournir un gaz inerte à la chambre avec le gaz TEOS vaporisé, et une deuxième unité de stockage de gaz de réaction reliée à l'arrivée de la chambre pour fournir du gaz O2 qui constitue le deuxième gaz de réaction.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)