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1. (WO2006014034) REMOTE PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD USING DC BIAS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/014034    International Application No.:    PCT/KR2004/001962
Publication Date: 09.02.2006 International Filing Date: 04.08.2004
Chapter 2 Demand Filed:    19.10.2004    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY [KR/KR]; 17, Haengdang1-dong, Seongdong-gu, Seoul 133-791 (KR) (For All Designated States Except US).
JEON, Hyeong-Tag [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KIM, Un-Jung [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KIM, Ju-Youn [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KIM, Jin-Woo [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: JEON, Hyeong-Tag; (KR).
KIM, Un-Jung; (KR).
KIM, Ju-Youn; (KR).
KIM, Jin-Woo; (KR)
Agent: SONG, Kyeong-Keun; The Daelim Building, 1363-1 Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-863 (KR)
Priority Data:
Title (EN) REMOTE PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD USING DC BIAS
(FR) APPAREIL POUR DÉPÔT D’UNE COUCHE ATOMIQUE DE PLASMA À DISTANCE ET MÉTHODE UTILISANT LA POLARISATION DU COURANT CONTINU
Abstract: front page image
(EN)A conventional plasma applied ALD apparatus has a problem in that physical shock is directly imposed on a substrate and a thin film thereby damaging the thin film. Further, many reports have said that since an apparatus for controlling plasma energy is not arranged well, the thin film is not formed uniformly due to plasma nonuniformity. Therefore, there is provided a remote plasma atomic layer deposition apparatus using a DC bias comprising: a reaction chamber having an inner space; a substrate supporting body on which a substrate on which a thin film is to be formed is loaded arranged at one side of the inner space of the reaction chamber; a remote plasma generating unit arranged outside of the reaction chamber to supply a remote plasma into the inner space of the reaction chamber; a DC bias unit controlling energy of the remote plasma; and a source gas supply unit supplying a source gas for forming the thin film into the reaction chamber.
(FR)Un appareil ALD appliqué conventionnel de plasma présente l’inconvénient qu’un choc physique est directement donné à un substrat et endommageant ainsi le film fin. En outre, de nombreux rapports ont montré que lorsqu’un appareil pour contrôler l’énergie du plasma n’est pas correctement installé, le film fin n’est pas formé uniformément en raison de la non uniformité du plasma. En conséquence, il est fourni un appareil de dépôt à distance d’une couche atomique de plasma utilisant une polarisation du courant et comprenant : une chambre de réaction ayant un espace intérieur ; un corps de support de substrat sur lequel un substrat où un film fin doit être formé est chargé et disposé sur un côté de l’espace intérieur de la chambre de réaction ; une unité de production à distance de plasma disposée à l’extérieur de la chambre de réaction pour fournir un plasma à distance dans l’espace intérieur de la chambre de réaction ; une unité de polarisation du courant contrôlant l’énergie du plasma à distance ; et une source d’approvisionnement en gaz distribuant un gaz pour former le film fin dans la chambre de réaction.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)