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1. (WO2006012847) VERTICAL POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A SEMICONDUCTOR CHIP, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/012847    International Application No.:    PCT/DE2005/001296
Publication Date: 09.02.2006 International Filing Date: 21.07.2005
IPC:
H01L 23/488 (2006.01), H01L 23/492 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
HOSSEINI, Khalil [IR/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HOSSEINI, Khalil; (DE)
Agent: SCHÄFER, Horst; Schweiger & Partner, Karl-Theodor-Str. 69, 80803 München (DE)
Priority Data:
10 2004 036 905.4 29.07.2004 DE
Title (DE) VERTIKALES LEISTUNGSHALBLEITERBAUTEIL MIT EINEM HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN
(EN) VERTICAL POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A SEMICONDUCTOR CHIP, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE VERTICAL COMPRENANT UNE PUCE A SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCEDE POUR LE REALISER
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein vertikales Leistungshalbleiterbauteil (1) mit einem Halbleiterchip (2), der eine Vielzahl von auf der Oberseite (3) verteilten Kontaktflächen (4) einer gemeinsamen Oberseitenelektrode (30) aufweist. Die Rückseite (7) des Halbleiterchips bildet eine Gegenelektrode (29) mit einem ersten Außenanschluss des Leistungshalbleiterbauteils, während die Oberseite (3) des Halbleiterchips (2) eine Metallplatte (10) als gemeinsame Oberseitenelektrode (30) aufweist, die stoffschlüssig mit den Kontaktflächen verbunden ist. Die Oberseite (11) der Metallplatte ist über Bondverbindungen (14) mit einem zweiten Außenanschluss des Leistungshalbleiterbauteils elektrisch verbunden.
(EN)The invention relates to a vertical power semiconductor component (1) comprising a semiconductor chip (2) provided with a plurality of contact surfaces (4) of a common upper side electrode (30), distributed over the upper side (3). The rear side (7) of the semiconductor chip forms a counter-electrode (29) with a first outer terminal of the power semiconductor component, while the upper side (3) of the semiconductor chip (2) comprises a metal plate (10) as a common upper side electrode (30), that is connected to the contact surfaces in a material fit. The upper side (11) of the metal plate is electrically connected to a second outer terminal of the power semiconductor component by means of bond connections (14).
(FR)La présente invention concerne un composant à semi-conducteur de puissance vertical (1) comprenant une puce à semi-conducteur (2) qui présente une pluralité de faces de contact (4) d'une électrode de côté supérieur commune (30), réparties sur le côté supérieur (3). Le côté arrière (7) de la puce à semi-conducteur, forme une contre-électrode (29) avec une première borne de connexion extérieure du composant à semi-conducteur de puissance, alors que le côté supérieur (3) de la puce à semi-conducteur (2) présente une plaque métallique (10) en tant qu'électrode de côté supérieur commune (30), ladite plaque métallique étant reliée par liaison de matière aux faces de contact. Le côté supérieur (11) de la plaque métallique est connecté électriquement à une seconde borne de connexion du composant à semi-conducteur de puissance, par des liaisons de métallisation (14).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)