(EN) A heteostructure having a first and a second layer, in micrometer or smaller (e.g. nanometer) scale, arranged in a configuration defining at least one undercut at one side of the second layer, underneath the first layer, is described herein. In various embodiments, the undercut is filled with passivation materials to protect the layers underneath the first layer. Further, in various embodiments, a large metal contact layer including coverage of the first layer sidewall may be employed to provide significant increase in contact area, and to reduce the device contact resist value.
(FR) L'invention concerne une hétérostructure à première et seconde couches, à échelle de micromètre ou inférieure (par exemple, nanomètre), qui se présente dans une configuration définissant au moins une attaque latérale sur un côté de la seconde couche, sous la première couche. Selon différentes variantes, l'attaque latérale est remplie de matériaux de passivation pour la protection des couches placées sous la première couche. Par ailleurs, selon diverses variantes, une couche de contact métallique importante incluant la couverture de la paroi latérale de la première couche peut être utilisée pour assurer une augmentation importante de la zone de contact, et pour réduire la valeur de résistance de contact du dispositif.