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1. (WO2006012252) METAL OXIDE CERAMIC THIN FILM ON BASE METAL ELECTRODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/012252    International Application No.:    PCT/US2005/022356
Publication Date: 02.02.2006 International Filing Date: 23.06.2005
IPC:
H01G 4/12 (2006.01), C04B 35/468 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (For All Designated States Except US).
MIN, Yonki [KR/US]; (US) (For US Only).
PALANDUZ, Cengiz, A. [TR/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MIN, Yonki; (US).
PALANDUZ, Cengiz, A.; (US)
Agent: VINCENT, Lester, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 12400 Wilshire Boulevard, 7th Floor, Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
10/882,745 30.06.2004 US
Title (EN) METAL OXIDE CERAMIC THIN FILM ON BASE METAL ELECTRODE
(FR) FILM MINCE DE CÉRAMIQUE D’OXYDE MÉTALLIQUE SUR ÉLECTRODE EN MÉTAL COMMUN
Abstract: front page image
(EN)A method including forming a capacitor structure including an electrode material and a ceramic material on the electrode material; and sintering the ceramic material under a condition where a point defect state of the ceramic material defines the ceramic material as insulating without oxidation of the electrode material. A method including depositing a ceramic material on an electrically conductive foil; and sintering the ceramic material in a reducing atmosphere at a temperature that minimizes the mobility of point defects to transition to a level corresponding to a greater conductivity of the ceramic material. An apparatus including a first electrode; a second electrode; and a ceramic material disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the ceramic material includes a thickness less than one micron and a leakage current corresponding to a thermodynamic state wherein a concentration of mobile point defects have been optimized.
(FR)Le procédé comprend la formation d’une structure de condensateur qui comprend un matériau d’électrode et un matériau céramique sur le matériau d’électrode, et le frittage du matériau céramique dans une condition où un état de défauts ponctuels du matériau céramique définit le matériau céramique comme isolant sans provoquer l’oxydation du matériau d'électrode. Le procédé comprend la déposition d'un matériau céramique sur une feuille conductrice d'électricité et le frittage du matériau céramique dans une atmosphère réductrice à une température qui minimise la mobilité des défauts ponctuels pour une transition à un niveau qui correspond à une conductivité supérieure du matériau céramique. Le dispositif comprend une première électrode, une deuxième électrode et un matériau céramique placé entre la première et la deuxième électrode, le matériau céramique étant d’une épaisseur inférieure à un micron et comprenant un courant de fuite qui correspond à un état thermodynamique où une concentration de défauts ponctuels mobiles a été optimisée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)