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1. (WO2006011996) METHODS AND APPARATUS FOR THE OPTIMIZATION OF ETCH RESISTANCE IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/011996    International Application No.:    PCT/US2005/021047
Publication Date: 02.02.2006 International Filing Date: 14.06.2005
IPC:
C03C 25/68 (2006.01), C23F 1/00 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, P1262PCT, Fremont, CA 94538 (US) (For All Designated States Except US).
ADAMS, Yoko, Yamaguchi [JP/US]; (US) (For US Only).
STOJAKOVIC, George; (US) (For US Only).
MILLER, Alan [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ADAMS, Yoko, Yamaguchi; (US).
STOJAKOVIC, George; (US).
MILLER, Alan; (US)
Agent: NGUYEN, Joseph, A.; PO BOX 700640, IPSG, San Jose, California 95170-0640 (US)
Priority Data:
10/883,282 30.06.2004 US
Title (EN) METHODS AND APPARATUS FOR THE OPTIMIZATION OF ETCH RESISTANCE IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM
(FR) PROCEDES ET APPAREIL POUR L'OPTIMISATION DE LA RESISTANCE A LA GRAVURE DANS UN SYSTEME DE TRAITEMENT PLASMA
Abstract: front page image
(EN)In a plasma processing system, including a plasma processing chamber, a method of optimizing the etch resistance of a substrate material is described. The method includes flowing pre-coat gas mixture into the plasma procesing chamber, wherein the pre-coat gas mixture has an affinity for a etchant gas flow mixture; striking a first plasma from the pre-coat gas mixture; and introducing a substrate comprising the substrate material. The method also includes flowing the etchant gas mixture into the plasma processing chamber; striking a second plasma from the etchant gas mixture; and etching the substrate with the second plasma. Wherein the first plasma creates a pre-coat residual on a set of exposed surfaces in the plasma processing chamber, and the etch resistance of the substrate material is maintained.
(FR)L'invention concerne un procédé d'optimisation de la résistance à la gravure d'un matériau substrat dans un système de traitement plasma, notamment une chambre de traitement plasma. Le procédé consiste à introduire un mélange gazeux de précouche dans la chambre de traitement plasma, le mélange gazeux de précouche présentant une affinité avec un mélange gazeux de gravure ; à amorcer un premier plasma à partir du mélange gazeux de précouche ; et à introduire un substrat comprenant le matériau substrat. Le procédé consiste également à introduire le mélange gazeux de gravure dans la chambre de traitement plasma ; à amorcer un deuxième plasma à partir du mélange gazeux de gravure ; et à graver le substrat avec le deuxième plasma. Le premier plasma crée un résidu de précouche sur un ensemble de surfaces exposées dans la chambre de traitement plasma, et la résistance à la gravure du matériau substrat est maintenue.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)