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Pub. No.:    WO/2006/011417    International Application No.:    PCT/JP2005/013462
Publication Date: 02.02.2006 International Filing Date: 22.07.2005
H03H 9/145 (2006.01), H03H 3/10 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
KADOTA, Michio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KIMURA, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KADOTA, Michio; (JP).
KIMURA, Tetsuya; (JP)
Agent: MIYAZAKI, Chikara; 6F, Daido Seimei Bldg. 5-4, Tanimachi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400012 (JP)
Priority Data:
2004-217360 26.07.2004 JP
2005-018894 26.01.2005 JP
(JA) 弾性表面波装置
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a surface acoustic wave device wherein an insulator layer is so formed as to cover an IDT electrode and the surface of the insulator layer is planarized. In such a surface acoustic wave device, the electrode can have a sufficiently large reflection coefficient. Specifically disclosed is a surface acoustic wave device wherein a plurality of grooves (1b) are formed in the upper surface of a piezoelectric substrate (1), and those grooves (1b) are filled with an electrode material, thereby forming electrode films (3) which constitute IDT electrodes. In this surface acoustic wave device, an insulator layer (4) such as an SiO2 film is so formed as to cover the piezoelectric substrate (1) and the electrode films (3) formed in the grooves (1b), and the surface of the insulator layer (4) is planarized.
(FR)Est divulgué un dispositif à onde acoustique de surface dont une couche isolante est constituée de façon à couvrir une électrode IDT et la surface de la couche isolante est planarisée. Dans un tel dispositif à onde acoustique de surface, l’électrode peut avoir un coefficient de réflexion suffisamment grand. Est spécifiquement divulgué un dispositif à onde acoustique de surface comportant une pluralité de sillons (1b) formés dans la surface supérieure d’un substrat piézo-électrique (1), ces sillons (1b) étant remplis d’un matériau d’électrode, formant ainsi des films d’électrode (3) qui constituent des électrodes IDT. Dans ce dispositif à onde acoustique de surface, une couche isolante (4), telle un film de SiO2, est formée de façon à couvrir le substrat piézo-électrique (1) et les films d’électrode (3) formés dans les sillons (1b), et la surface de la couche isolante (4) est planarisée.
(JA) IDT電極を覆うように、絶縁物層が形成されており、絶縁物層の表面が平坦化されている弾性表面波装置であって、電極の反射係数が十分な大きさとされ得る弾性表面波装置を提供する。  圧電基板1の上面に複数本の溝1bが形成されており、これらの溝1bに電極材料が充填されてIDT電極を構成する電極膜3が形成されており、SiO2膜のような絶縁物層4が圧電基板1及び溝1bに形成された電極膜3を覆うように形成されており、絶縁物層4の表面が平坦とされている、弾性表面波装置。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)