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1. (WO2006011361) III GROUP NITRIDE SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/011361    International Application No.:    PCT/JP2005/012886
Publication Date: 02.02.2006 International Filing Date: 13.07.2005
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 19/02 (2006.01), C30B 19/04 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAHATA, Seiji; (For US Only)
Inventors: NAKAHATA, Seiji;
Agent: NAKANO, Minoru; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1-3, Shimaya 1-chome Konohana-ku, Osaka-shi Osaka 554-0024 (JP)
Priority Data:
2004-218663 27.07.2004 JP
Title (EN) III GROUP NITRIDE SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SIMPLE CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE III ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DUDIT CRISTAL, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) III族窒化物単結晶およびその製造方法、ならびに半導体デバイス
Abstract: front page image
(EN)A method for preparing a III group nitride single crystal, which comprises forming a liquid layer (3) having a thickness of 200 μm or less between a substrate (1) and a substrate (2) of a III group nitride raw material, and growing the III group nitride single crystal (4) on the surface (1s) of the liquid layer side of the substrate (1). In the above method, the surface layer (1a) of at least the liquid layer side of the substrate (1) may be formed with the III group nitride single crystal and the substrate (2) of a III group nitride raw material may be formed with a polycrystalline III group nitride; and the surface layer (1a) of at least the liquid layer side of the substrate (1) and the substrate (2) of a III group nitride raw material may be formed with the III group nitride single crystal, and the surface (1s) of the liquid layer side of the substrate (1) may be a III group atom plane and the surface (2s) of the liquid layer side of the substrate (2) of a III group nitride raw material may be a nitrogen atom plane. The above method allows the preparation of a III group nitride single crystal with a high yield based on a raw material and also with a high growth rate for the crystal.
(FR)Procédé de préparation d’un simple cristal de nitrure du groupe III, qui comprend les étapes consistant à former une couche liquide (3) ayant une épaisseur de 200 µm ou moins entre un substrat (1) et un substrat (2) constitué d’une matière première de nitrure du groupe III, et à développer le cristal unique de nitrure du groupe III (4) sur la surface (1s) du côté de la couche liquide du substrat (1). Dans le procédé précédent, la couche superficielle (1a) d’au moins le côté de la couche liquide du substrat (1) peut être formée avec le cristal unique de nitrure du groupe III et le substrat (2) constitué d’une matière première de nitrure du groupe III peut être formé avec un nitrure du groupe III polycristallin ; et la couche superficielle (1a) d’au moins le côté de la couche liquide du substrat (1) et le substrat (2) constitué d’une matière première de nitrure du groupe III peuvent être formés avec le cristal unique de nitrure du groupe III, et la surface (1s) du côté de la couche liquide du substrat (1) peut être une surface plane d’atomes du groupe III et la surface (2s) du côté de la couche liquide du substrat (2) constitué d’une matière première de nitrure du groupe III peut être une surface plane d’atomes d’azote. Le procédé précédent permet la préparation d’un cristal unique de nitrure du groupe III avec un rendement élevé sur la base d’une matière première et également avec une vitesse de croissance élevée du cristal.
(JA) 原料の収率が高く、かつ、結晶の成長速度が高いIII族窒化物単結晶の製造方法を提供する。  基板1とIII族窒化物原料基板2との間に厚さ200μm以下の液体層3を形成し、基板1の液体層側の表面1s上にIII族窒化物単結晶4を成長させるIII族窒化物単結晶の製造方法。ここで、基板1の少なくとも液体層側の表面層1aをIII族窒化物単結晶で形成し、III族窒化物原料基板2をIII族窒化物多結晶で形成することができる。また、基板1の少なくとも液体層側の表面層1aおよびIII族窒化物原料基板2をIII族窒化物単結晶で形成し、基板1の液体層側の表面1sをIII族原子面とし、III族窒化物原料基板2の液体層側の表面2sを窒素原子面とすることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)