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1. (WO2006011237) LIGHT-EMITTING ELEMENT, LIGHT-EMITTING DEVICE AND INFORMATION DISPLAY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/011237    International Application No.:    PCT/JP2004/011026
Publication Date: 02.02.2006 International Filing Date: 27.07.2004
IPC:
H01L 33/00 (2006.01)
Applicants: QUANTUM 14 KK [JP/JP]; 1204, Tokyo University of Agriculture and Technology INCUBATOR 24-16, Naka-machi 2-chome Koganei-shi, Tokyo 184-8588 (JP) (For All Designated States Except US).
KOSHIDA, Nobuyoshi [JP/JP]; (JP).
KOJIMA, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KOSHIDA, Nobuyoshi; (JP).
KOJIMA, Akira; (JP)
Agent: NISHIZAWA, Toshio; Three F Minami Aoyama Bldg. 7F 11-1, Minami-Aoyama 6-chome Minato-ku, Tokyo 107-0062 (JP)
Priority Data:
Title (EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT, LIGHT-EMITTING DEVICE AND INFORMATION DISPLAY
(FR) ELEMENT ET DISPOSITIF PHOTOEMETTEURS ET AFFICHEUR
(JA) 発光素子と発光装置並びに情報ディスプレイ装置
Abstract: front page image
(EN)A light-emitting element having a multilayer structure composed of a semiconductor or conductive substrate having a rear surface electrode, a layer generating hot electrons, quasi-ballistic or ballistic electrons, a light emitting layer and a semitransparent surface electrode, or a multilayer structure further comprising a hole supply layer between the light emitting layer and the semitransparent surface electrode of the element having the above-mentioned structure. High efficiency emission is realized from infrared to ultraviolet with less current injection than an injection or intrinsic EL.
(FR)La présente invention concerne un élément photoémetteur dont la structure multicouche se compose d'un substrat semi-conducteur ou conducteur portant une électrode sur la face arrière, d'une couche produisant des électrons chauds, des électrons quasi-balistiques ou des électrons balistiques, d'une couche photoémettrice portant et d'une électrode de surface semi-transparente. Toutefois, la structure multicouche peut également comporter une couche d'apport de trous entre la couche photoémettrice et l'électrode de surface semi-transparente. On arrive ainsi à obtenir une émission hautement efficace de l'infrarouge à l'ultraviolet, avec moins d'injection de courant qu'avec une électroluminescence par injection ou intrinsèque.
(JA)裏面電極を有する半導体または導電性基板、ホットエレクトロンまたは準弾道ないし弾道電子の生成層、発光層、および半透明表面電極、を積層した構造、もしくは同構造の素子の発光層と半透明表面電極との間にホール供給層を設けた構造を有する発光素子とし、注入形または真性ELよりも少ない電流注入量で赤外から紫外にわたって、高対率の発光を実現するものとする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)