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1. (WO2006010996) METHOD FOR DETERMINING THE COMPOSITION OF A LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/010996    International Application No.:    PCT/IB2004/002606
Publication Date: 02.02.2006 International Filing Date: 20.07.2004
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (For All Designated States Except US).
DAVAL, Nicolas [FR/FR]; (FR) (For US Only).
TIBERJ, Antoine [FR/FR]; (FR) (For US Only).
AULNETTE, Cécile [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: DAVAL, Nicolas; (FR).
TIBERJ, Antoine; (FR).
AULNETTE, Cécile; (FR)
Agent: MARTIN, Jean-Jacques; Cabinet Regimbeau, 20, rue de Chazelles, F-75847 Paris Cedex 17 (FR)
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR DETERMINING THE COMPOSITION OF A LAYER
(FR) PROCEDE POUR DETERMINER LA COMPOSITION D'UNE COUCHE
Abstract: front page image
(EN)The invention proposes a method for determining the composition of a layer, said layer being of a composed semiconductor material which comprises at least two elements and has an oxidation rate related to the concentration within said material of an element among said elements, said layer having a main surface, said method comprising the steps of: oxidizing the main surface of said layer for forming an oxide layer on said main surface; measuring the thickness of said oxide layer on said main surface; determining, from said thickness measurement, the concentration, within the composed material of said layer, of said element whose concentration is related to the oxidation rate. Application to the determination of a variable Ge concentration within a SiGe layer.
(FR)L'invention concerne un procédé pour déterminer la composition d'une couche, ladite couche comprenant un matériau à semi-conducteurs composés qui présente au moins deux éléments et un taux d'oxydation calculé d'après la concentration à l'intérieur du matériau d'un élément parmi lesdits éléments. La couche comprend une surface principale, et le procédé de l'invention comprend les étapes suivantes : oxydation de la surface principale de la couche pour former une couche d'oxyde sur la surface principale ; mesure de l'épaisseur de la couche d'oxyde sur la surface principale ; détermination, à partir de la mesure de l'épaisseur, de la concentration, à l'intérieur du matériau composé de la couche, de l'élément dont la concentration est calculée à partir du taux d'oxydation. L'invention concerne également la détermination d'une concentration Ge variable à l'intérieur d'une couche SiGe.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)