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1. (WO2006010734) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR OPERATING THE SEMICONDUCTOR COMPONENT AS AN ELECTRONIC SWITCH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2006/010734 International Application No.: PCT/EP2005/053536
Publication Date: 02.02.2006 International Filing Date: 21.07.2005
IPC:
H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01)
Applicants: ECKEL, Hans-Günter[DE/DE]; DE (UsOnly)
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT[DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 80333 München, DE (AllExceptUS)
Inventors: ECKEL, Hans-Günter; DE
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34 80506 München, DE
Priority Data:
10 2004 036 278.527.07.2004DE
Title (EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR OPERATING THE SEMICONDUCTOR COMPONENT AS AN ELECTRONIC SWITCH
(FR) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE D'EXPLOITATION DUDIT COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEURS, COMME COMMUTATEUR ELECTRONIQUE
(DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN DES HALBLEITERBAUELEMENTS
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to a semiconductor component comprising: at least one semiconductor region (6); at least one second semiconductor region (7) which directly borders the first semiconductor region (6) in at least one transition area (67); at least one third semiconductor region (8) of a predetermined conduction type (p or n) opposite the conduction type of the second semiconductor region (7); at least one first operating electrode (2), which is electrically contacted by the first semiconductor region (6),; at least one second operating electrode (3), the first semiconductor region (6), the second semiconductor region (7) and the third semiconductor region (8) being electrically connected in series between both operating electrodes (2 and 3); at least one semiconductor arrangement (10, 11, 12, 13, 81), which is arranged between the second semiconductor region (7) and the second operating electrode (3) while being electrically insulated from the third semiconductor region (8) and which enables a flow of current between the second semiconductor region (7) and the second operating electrode (3) in the inverse direction of a p-n transition (78) formed between the second semiconductor region (7) and the third semiconductor region (8) while essentially preventing the flow of current in the conducting direction of this p-n transition (78), and; at least one control electrode (5), whereby the first semiconductor region (6), at least in at least one channel region situated between the first operating electrode (2) and the second semiconductor region (7), according to a control potential (Us) or control current existing on the control electrode(s), in a first operating state adopts a conduction type (p or n) opposite the conduction type (n or p) of the second semiconductor region (7) and in at least one other second operating state, adopts the same conduction type (n or p) as that of the second semiconductor region (7).
(FR) L'invention concerne un composant à semi-conducteurs comprenant au moins urne première zone semi-conductrice (6), au moins une deuxième zone semi-conductrice (7) qui jouxte directement la première zone semi-conductrice (6), dans une zone de transition (67), au moins une troisième zone semi-conductrice (8) d'un type de conduction (p ou n) prédéfini, opposé au type de conduction de la deuxième zone semi-conductrice (7), au moins une première électrode de service (2), qui est en contact électrique avec la première zone semi-conductrice (6), ainsi qu'au moins une deuxième électrode de service (3), la première zone semi-conductrice (6), la deuxième zone semi-conductrice (7) et la troisième zone semi-conductrice (8) étant commutées électriquement en série entre les deux électrodes de service (2 et 3), au moins un système semi-conducteur (10, 11, 12, 13, 81) qui est disposé de manière isolée électriquement par rapport à la troisième zone semi-conductrice (8), entre la deuxième zone semi-conductrice (7) et la deuxième électrode de service (3) et qui permet le passage d'un flux de courant entre la deuxième zone semi-conductrice (7) et la deuxième électrode de service (3) dans le sens de blocage d'une jonction p-n (78) formée entre la deuxième zone semi-conductrice (7) et la troisième zone semi-conductrice (8), tout en empêchant sensiblement le passage dans le sens de passage de cette jonction p-n. La première zone semi-conductrice (6), du moins dans au moins une zone de canal disposée entre la première électrode de service (2) et la deuxième zone semi-conductrice (7), adopte un type de conduction (p ou n) opposé au type de conduction (n ou p) de la deuxième zone semi-conductrice (7), en fonction d'un potentiel de commande (Us) ou d'un courant de commande présent au niveau de la ou des électrode(s) de commande (5), dans un premier état de service, et adopte un même type de conduction (n ou p) que celui de la deuxième zone semi-conductrice (7), dans au moins un deuxième état de service.
(DE) Halbleiterbauelement mit wenigstens einem ersten Halbleitergebiet (6), wenigstens einem zweiten Halbleitergebiet (7), das in wenigstens einem Übergangsbereich (67) unmittelbar an das erste Halbleitergebiet (6) angrenzt, wenigstens einem dritten Halbleitergebiet (8) eines vorgegebenen, zum Leitungstyp des zweiten Halbleitergebiets (7) entgegengesetzten Leitungstyps (p oder n), wenigstens einer ersten Betriebselektrode (2), die mit dem ersten Halbleitergebiet (6) elektrisch kontaktiert ist, und wenigstens einer zweiten Betriebselektrode (3), wobei das erste Halbleitergebiet (6), das zweite Halbleitergebiet (7) und das dritte Halbleitergebiet (8) elektrisch in Reihe zwischen die beiden Betriebselektroden (2 und 3) geschaltet sind.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)