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1. (WO2005125292) METHOD FOR THE SELECTIVE DEPOSITION OF A GALVANIC COATING ON A MINIATURISED ELECTRIC CIRCUIT CREATED BY ETCHING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/125292    International Application No.:    PCT/FR2005/050407
Publication Date: 29.12.2005 International Filing Date: 02.06.2005
IPC:
H05K 3/24 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01)
Applicants: POSSEHL ELECTRONIC FRANCE S.A. [FR/FR]; Boulevard Sagnat, Z.I. du Buisson, F-42230 Roche la Molière (FR) (For All Designated States Except US).
LAM, Kam Ming [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: LAM, Kam Ming; (CN)
Agent: THIVILLIER, Patrick; Cabinet Laurent & Charras, 3 place de l'Hotel de Ville, B. P. N° 203, F-42005 Saint Etienne Cedex 1 (FR)
Priority Data:
0451092 02.06.2004 FR
Title (EN) METHOD FOR THE SELECTIVE DEPOSITION OF A GALVANIC COATING ON A MINIATURISED ELECTRIC CIRCUIT CREATED BY ETCHING
(FR) PROCEDE DE DEPOT SELECTIF D'UN REVETEMENT GALVANIQUE SUR UN CIRCUIT ELECTRIQUE MINIATURISE REALISE PAR GRAVURE CHIMIQUE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method comprising the following steps: a layer of a photosensitive product (2) is deposited on a full metallic strip (1); a first mask comprising a plurality of windows is positioned against said layer of photosensitive product (2); part of said photosensitive layer (2) is isolated and then developed in such a way as to generate holes therein (2), the bottom of the holes being formed by the upper side of the metallic strip (1); at least one layer of galvanic coating (5) is deposited inside the holes on contact with the metallic strip (1); a protective layer (6) is deposited on the upper side of the galvanic coating layer (5); a second mask (13) comprising a plurality of windows (18) is positioned against the layer of photosensitive product (2); part of the photosensitive layer (2) is isolated and then developed in such a way that the upper side is locally revealed; the metallic strip (1) is etched on the upper side in such a way as to eliminate part of the metallic strip (1) and to form conductor strips (1); and the layer of photosensitive product (2) and the protective layer (6) are completely dissolved in order to maintain only the conductor strips (1) comprising a plurality of bonding pads (5) formed by at least one galvanic coating layer (5).
(FR)Le procédé comporte les étapes suivantes : on dépose une couche d'un produit photosensible (2) sur une bande métallique pleine 10 (1) ; on positionne un premier masque équipé d'une pluralité de fenêtres en regard de ladite couche de produit photosensible (2) ; on insole puis on développe une partie de ladite couche de produit photosensible (2), de façon à générer des trous dans cette couche photosensible (2), le fond des trous étant formé par la face supérieure de la bande métallique (1) ; on dépose au moins une couche de revêtement galvanique (5) à l'intérieur des trous au contact de la bande métallique (1) ; on dépose une couche de protection (6) au niveau de la face supérieure de la couche de revêtement galvanique (5) ; on positionne un second masque (13) équipé d'une pluralité de fenêtres (18) en regard de la couche de produit photosensible (2) ; on insole puis on développe une partie de la couche photosensible (2) et de façon à laisser apparaître localement la face supérieure ; on réalise une gravure chimique de la bande métallique (1) au niveau de la face supérieure, de façon à éliminer une partie de la bande métallique (1) et à former des pistes conductrices (1) ; on dissout totalement la couche de produit photosensible (2) et la couche de protection (6) pour ne conserver que les pistes conductrices (1) comportant une pluralité de plots de connexion (5) formés par au moins une couche de revêtement galvanique (5).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)