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1. (WO2005124848) HEAT TREATMENT JIG AND SEMICONDUCTOR WAFER HEAT TREATMENT METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/124848    International Application No.:    PCT/JP2005/010486
Publication Date: 29.12.2005 International Filing Date: 08.06.2005
IPC:
H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/68 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000005 (JP) (For All Designated States Except US).
KOBAYASHI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KOBAYASHI, Takeshi; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome, Taito-ku Tokyo 1110041 (JP)
Priority Data:
2004-182135 21.06.2004 JP
Title (EN) HEAT TREATMENT JIG AND SEMICONDUCTOR WAFER HEAT TREATMENT METHOD
(FR) DISPOSITIF DE SERRAGE PAR TRAITEMENT Á LA CHALEUR ET M)THODE DE TRAITEMENT Á LA CHALEUR DE PLAQUE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法
Abstract: front page image
(EN)A heat treatment jig is provided to be used in heat treatment wherein a wafer-shaped object to be treated is horizontally supported. The heat treatment jig is provided with a supporting part for supporting the object to be treated and a supporting plane of the supporting part is formed in a convex curve. For instance, the jig is an annular susceptor (41) having the supporting part for supporting the object to be treated along the rear plane peripheral part, and heat treatment is performed by supporting a semiconductor wafer (W) by bringing a boundary part of a chamfered part and the rear plane of the wafer (W) into contact with the supporting plane (46) formed in the convex curve. Thus, the heat treatment jig and the semiconductor wafer heat treatment method which can surely prevent not only slip dislocation but also generation of scratches on the rear plane periphery and the chamfered part in heat treatment of a silicon wafer and the like are provided.
(FR)Ce dispositif sert dans le traitement à la chaleur. Ici, un objet en forme de plaque à traiter est supporté au plan horizontal. Le dispositif de serrage par traitement à la chaleur contient un support pour soutenir l'objet à traiter ; un plan de soutien du support est formé sur une courbe convexe. Par exemple, le dispositif de serrage est un suscepteur (41) ayant le support pour soutenir l'objet à traiter le long de la périphérie plane arrière. Le traitement à la chaleur est réalisé en soutenant une plaque de semi-conducteur (W), en amenant une limite de la partie chanfreinée et le plan arrière de la plaque (W) en contact avec le plan de soutien (46) formé sur la courbe convexe. Ainsi, le dispositif de serrage par traitement à la chaleur et la méthode de traitement à la chaleur de la plaque semi-conducteur peuvent éviter de manière sûre non seulement la dislocation par glissement mais aussi la génération de rayures sur la périphérie du plan arrière. Sont fournis la partie chanfreinée dans le traitement à la chaleur d'une plaque de silicium et d'autres éléments identiques.
(JA) ウエーハ状の被処理体を水平に支持して熱処理する際に使用する熱処理用治具であって、前記被処理体を支持する支持部を有し、該支持部の支持面が、凸曲面状に形成されていることを特徴とする熱処理用治具。例えば、被処理体を裏面周縁部に沿って支持する支持部を有する環状のサセプタ41とし、半導体ウエーハWの面取り部と裏面との境界部分が凸曲面状に形成された支持面46と接触するようにウエーハWを支持して熱処理を行う。これにより、シリコンウエーハ等を熱処理する際、スリップ転位だけでなく、裏面周辺部や面取り部のキズの発生も確実に防ぐことができる熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)