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1. (WO2005124787) ELECTRICAL DEVICE HAVING A PROGRAMMABLE RESISTOR CONNECTED IN SERIES TO A PUNCH-THROUGH DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/124787    International Application No.:    PCT/IB2005/051893
Publication Date: 29.12.2005 International Filing Date: 09.06.2005
IPC:
G11C 16/02 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
WOERLEE, Pierre, H. [NL/NL]; (NL) (For US Only).
WIDDERSHOVEN, Franciscus, P. [NL/NL]; (NL) (For US Only).
VAN ACHT, Victor, M., G. [NL/NL]; (NL) (For US Only).
IKKINK, Teunis, J. [NL/NL]; (NL) (For US Only).
LAMBERT, Nicolaas [NL/NL]; (NL) (For US Only).
MARSMAN, Albert, W. [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: WOERLEE, Pierre, H.; (NL).
WIDDERSHOVEN, Franciscus, P.; (NL).
VAN ACHT, Victor, M., G.; (NL).
IKKINK, Teunis, J.; (NL).
LAMBERT, Nicolaas; (NL).
MARSMAN, Albert, W.; (NL)
Agent: DE JONG, Durk, J.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Priority Data:
04102744.2 16.06.2004 EP
Title (EN) ELECTRICAL DEVICE HAVING A PROGRAMMABLE RESISTOR CONNECTED IN SERIES TO A PUNCH-THROUGH DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR
(FR) DISPOSITIF ELECTRIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE DISPOSITIF
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to an electrical device (Fig. 6) having a programmable resistor (PR) connected in series to a punch-through diode (S). The invention also relates to a method of manufacturing such an electrical device. The method comprises the steps of: providing a stack comprising a first layer of a semiconductor material of a first conductivity type arranged between a second layer and a third layer of a semiconductor material of a second conductivity type opposite to the first conductivity type, and providing a layer of material having a programmable resistivity, the layer of material having the programmable resistivity being in electrical contact with one of the second and third layer of the semiconductor material.
(FR)La présente invention concerne dispositif électrique (fig. 6) possèdent une résistance programmable (PR) connecté en série à une diode de claquage (S). Cette invention concerne aussi un procédé de fabrication de ce dispositif électrique. Ce procédé consiste : à prendre lune pile comprenant une première couche d'un matériau semi-conducteur d'un premier type de conductivité agencée entre une deuxième couche est une troisième couche d'un matériau semi-conducteur d'une seconde conductivité de type opposé au premier type de conductivité et, à prendre une couche de matériau possédant une résistivité programmable, cette couche de matériau possédant la résistivité programmable en contact électrique avec la deuxième et la troisième couche de matériau semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)