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1. (WO2005124558) METHOD AND SYSTEM FOR OPTIMIZING THE NUMBER OF WORD LINE SEGMENTS IN A SEGMENTED MRAM ARRAY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/124558    International Application No.:    PCT/US2005/020302
Publication Date: 29.12.2005 International Filing Date: 09.06.2005
IPC:
G11C 11/00 (2006.01)
Applicants: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 678 South Hillview Drive, Milpitas, CA 95035 (US) (For All Designated States Except US).
YANG, Hsu, Kai (Karl) [US/US]; (US) (For US Only).
SHI, Xizeng [US/US]; (US) (For US Only).
WANG, Po-Kang [US/US]; (US) (For US Only).
YANG, Bruce, Yee [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: YANG, Hsu, Kai (Karl); (US).
SHI, Xizeng; (US).
WANG, Po-Kang; (US).
YANG, Bruce, Yee; (US)
Agent: MITCHELL, Janyce, R.; Sawyer Law Group LLP, P.O. Box 51418, Palo Alto, CA 94303 (US)
Priority Data:
10/865,717 09.06.2004 US
Title (EN) METHOD AND SYSTEM FOR OPTIMIZING THE NUMBER OF WORD LINE SEGMENTS IN A SEGMENTED MRAM ARRAY
(FR) METHODE ET SYSTEME POUR OPTIMISER LE NOMBRE DE SEGMENTS DE LIGNE DE MOT DANS UN RESEAU MRAM SEGMENTE
Abstract: front page image
(EN)A method and system for programming and reading a magnetic memory is disclosed. The magnetic memory includes a plurality of selectable word line segments and a plurality of magnetic storage cells corresponding to each word line segment. The method and system include reading the magnetic storage cells corresponding to a word line segment to determine a state of each magnetic storage cell. In one aspect, the method and system also include utilizing at least one storage for storing a state of each of the magnetic storage cells determined during a read operation made during a write operation. The method and system also include writing data to a portion of the magnetic cells corresponding to the word line segment after the reading. The method and system also include rewriting the state to each of a remaining portion of the magnetic storage cells corresponding to the word line segment at substantially the same time as the portion of the magnetic cells are written.
(FR)Sont divulgués une méthode et un système pour programmer et lire une mémoire magnétique. La mémoire magnétique comprend une pluralité de segments de ligne de mot sélectionnables et une pluralité de cellules de stockage magnétique correspondant à chaque segment de ligne de mot. La méthode et le système comprennent la lecture des cellules de stockage magnétique correspondant à un segment de ligne de mot pour déterminer un état de chaque cellule de stockage magnétique. Selon un aspect, la méthode et le système comprennent également l'utilisation d'au moins un stockage pour stocker un état de chacune des cellules de stockage magnétique déterminé pendant une opération de lecture effectuée pendant une opération d'écriture. La méthode et le système comprennent également l'écriture de données dans une partie des cellules magnétiques correspondant aux segments de ligne de mot après la lecture. La méthode et le système comprennent également la réécriture de l'état dans chaque partie restante des cellules de stockage magnétique correspondant aux segments de ligne de mot, sensiblement au même moment que l'écriture dans la partie des cellules magnétiques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)