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1. (WO2005124459) ORGANIC FILM COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/124459    International Application No.:    PCT/JP2005/011310
Publication Date: 29.12.2005 International Filing Date: 21.06.2005
IPC:
G03F 7/023 (2006.01), G03F 7/022 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: NAGASE CHEMTEX CORPORATION [JP/JP]; 1-17, Shinmachi 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 5508668 (JP) (For All Designated States Except US).
IKEZAKI, Yoji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMADA, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIJIMA, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: IKEZAKI, Yoji; (JP).
YAMADA, Tatsuya; (JP).
NISHIJIMA, Yoshitaka; (JP)
Agent: FURUTANI, Shinya; Furutani Naigai Tokkyo Jimusho 1-27, Dojima 2-chome, kita-ku Osaka-shi, Osaka 530-0003 (JP)
Priority Data:
2004-184096 22.06.2004 JP
Title (EN) ORGANIC FILM COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
(FR) COMPOSITION DE FILM ORGANIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION DE MOTIF DE RÉSIST
(JA) 有機膜組成物及びレジストパターン形成方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a highly practical composition for underlying layers which enables to form a good undercut profile without causing a intermixing layer between an upperlying resist and an underlying film in a double layer photoresist process. Also disclosed is a method for forming a resist pattern. Specifically disclosed is a composition for underlying organic films for forming a resist pattern having an undercut profile on a substrate by exposing and developing a double-layer film through a mask which double-layer film is formed on the substrate and composed of an underlying organic film and an upperlying positive resist film. Such a composition for underlying organic films is composed of an alkali-soluble resin (A) obtained by condensing a phenol component (A1) which is a mixture of 3-methylphenol and 4-methylphenol and an aldehyde component (A2) composed of an aromatic aldehyde and formaldehyde, and a solvent (B). Also specifically disclosed is a method for forming a resist pattern using such a composition of underlying organic films.
(FR)Il est prévu une composition extrêmement pratique pour couches sous-jacentes permettant de constituer un bon profil de contre-dépouille sans provoquer de couche de mélange entre un résist superposé et un film sous-jacent dans un processus de photorésist double couche. Il est également prévu un procédé de formation d’un motif de résist. Il est prévu spécifiquement une composition pour films organiques sous-jacents pour former un motif de résist ayant un profil de contre-dépouille sur un substrat en exposant et développant un film à double couche par le biais d’un masque, lequel film à double couche est formé sur le substrat et composé d’un film organique sous-jacent et un film de résist positif superposé. Une telle composition pour films organiques sous-jacents est constituée d’une résine soluble dans un alcalin (A) obtenue par condensation d’un composant de phénol (A1) qui est un mélange de 3-méthyl phénol et de 4-méthyl phénol et d’un composant aldéhyde (A2) constitué d’un aldéhyde et d’un formaldéhyde aromatiques, et d’un solvant (B). Il est également spécifiquement prévu un procédé de formation d’un motif de résist utilisant une telle composition de films organiques sous-jacents.
(JA) 2層フォトレジストプロセスにおいて上層レジストと下層膜とのインターミキシングレイヤーを生ずることなく良好なアンダーカット形状を形成できる実用性の高い下層用組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。該方法は、基板上に形成した下層有機膜と上層ポジ型フォトレジスト膜との2層の膜を、マスクを介して露光し、現像することによりアンダーカット形状を有するレジストパターンを上記基板上に形成するための上記下層有機膜用の組成物であって、3-メチルフェノールと4-メチルフェノールとの混合物であるフェノール成分(A1)と、芳香族アルデヒド及びホルムアルデヒドからなるアルデヒド成分(A2)とを縮合してなるアルカリ可溶性樹脂(A)と、溶剤(B)とからなる下層有機膜組成物、及び、これを用いたレジストパターン形成方法である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)