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1. (WO2005122289) GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR STACKED STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/122289    International Application No.:    PCT/JP2005/010991
Publication Date: 22.12.2005 International Filing Date: 09.06.2005
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8518 (JP) (For All Designated States Except US).
UDAGAWA, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: UDAGAWA, Takashi; (JP)
Agent: FUKUDA, Kenzo; Kashiwaya Bldg., 6-13, Nishishinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
Priority Data:
2004-171108 09.06.2004 JP
60/580,910 21.06.2004 US
Title (EN) GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR STACKED STRUCTURE
(FR) STRUCTURE EMPILÉE SEMI-CONDUCTRICE À BASE DE NITRURE DE GALLIUM
Abstract: front page image
(EN)A gallium-nitride-based semiconductor stacked structure includes a sapphire substrate; a low­temperature-deposited buffer layer which is composed of a Group III nitride material of AlXGayN (0.5 < Y ≤ 1, X + Y = 1) containing gallium (Ga) in a predominant amount with respect to aluminum (Al), which has been grown at low temperature and which is provided in a junction area thereof joined to a (0001) plane (c-plane) of the sapphire substrate with a single crystal in an as-grown state; and a gallium-nitride (GaN)-based semiconductor layer formed on the low-temperature-deposited buffer layer. The low-temperature-deposited buffer layer is predominantly composed of an as-grown single crystal which has a [1.0.-1.0.] orientation parallel to a [2.-1.­1.0.] direction of a lattice forming a (0001) basal plane of the sapphire substrate.
(FR)Il est prévu une structure empilée semi-conductrice à base de nitrure de gallium comprenant un substrat de saphir; une couche tampon déposée à basse température composée d’un matériau de nitrure de groupe III de AlXGayN (0,5 < Y ≤ 1, X + Y = 1) contenant du gallium (Ga) dans une quantité prédominante par rapport à l’aluminium (Al), que l’on a cultivée à basse température et qui est présente dans une zone de jonction de celle-ci jointe à un plan (0001) (plan c) du substrat de saphir avec un cristal simple à l’état de croissance; et une couche semi-conductrice à base de nitrure de gallium (GaN) formée sur la couche tampon déposée à basse température. La couche tampon déposée à basse température se compose principalement d’un cristal simple à l’état de croissance ayant une orientation [1.0.-1.0.] parallèle à une direction [2.-1.­1.0.] d’un treillis formant un plan basal (0001) du substrat de saphir.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)