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1. (WO2005122256) VOLTAGE BOOSTER TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/122256    International Application No.:    PCT/US2005/019465
Publication Date: 22.12.2005 International Filing Date: 03.06.2005
IPC:
H01L 23/58 (2006.01)
Applicants: GENESIC SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; GeneSiC Semiconductor Inc., 267 Kentlands Blvd #320, Gaithersberg, MD 20878 (US) (For All Designated States Except US).
SINGH, Ranbir [IN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SINGH, Ranbir; (US)
Agent: BODENDORF, Andrew; Law Office of Andrew Bodendorf, 1727 King St., Suite 105, Alexandria, VA 22314 (US)
Priority Data:
10/859,564 03.06.2004 US
Title (EN) VOLTAGE BOOSTER TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR D'AMPLIFICATION DE TENSION
Abstract: front page image
(EN)A voltage booster transistor with an optimal conducting path formed in widebandgap semiconductors like Silicon Carbide and Diamond, is provided as a power transistor with a voltage rating >200V. Contrary to conventional vertical design of power transistors, a higher, optimum doping for a given thickness supports higher Source/Drain blocking voltage. A topside and backside gate region of the opposite conductivity type than the channel region providing control of source to drain current path through a small gate voltage. The backside gate and the Drain junction are able to support the rated blocking voltage of the device.
(FR)Selon l'invention, un transistor d'amplification de tension présentant un passage de courant optimal formé dans des semiconducteurs à largeur de bande interdite, tels que le carbure de silicium et le diamant, est doté, en tant que transistor de puissance, d'une capacité en voltage supérieure à 200V. A la différence d'un modèle vertical classique de transistors de puissance, un dopage optimal supérieur pour une épaisseur donnée prend en charge une tension de blocage de la source/du drain supérieure. Une région de grille de limite supérieure et de limite arrière de type de conductivité opposé, différente de la région de canal, régule le passage du courant de la source au drain au moyen d'une faible tension de grille. La grille de limite arrière et la jonction de drain peuvent prendre en charge la tension de blocage nominale du dispositif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)