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1. (WO2005122230) METHOD FOR PROCESSING COPPER SURFACE, METHOD FOR FORMING COPPER PATTERN WIRING AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED USING SUCH METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/122230    International Application No.:    PCT/JP2005/010223
Publication Date: 22.12.2005 International Filing Date: 03.06.2005
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), C01B 21/06 (2006.01), C23C 8/24 (2006.01), C23F 15/00 (2006.01)
Applicants: KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 1-1, Sensui-cho, Tobata-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka 8048550 (JP) (For All Designated States Except US).
IZUMI, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIHARA, Masamichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: IZUMI, Akira; (JP).
ISHIHARA, Masamichi; (JP)
Agent: OHKAWA, Yuzuru; Kaimei Patent Office, Sankyo Central Plaza Building 5F, 11-8, Nishi-Nippori 5-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1160013 (JP)
Priority Data:
2004-167891 07.06.2004 JP
2004-378965 28.12.2004 JP
Title (EN) METHOD FOR PROCESSING COPPER SURFACE, METHOD FOR FORMING COPPER PATTERN WIRING AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED USING SUCH METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D’UNE SURFACE DE CUIVRE, PROCÉDÉ DE FORMATION D’UNE INSTALLATION ÉLECTRIQUE À CIRCUIT DE CUIVRE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR FABRIQUÉ SELON CE PROCÉDÉ
(JA) 銅表面の処理方法及び銅パターン配線形成方法、並びに該方法を用いて作成された半導体装置
Abstract: front page image
(EN)A gas inlet is arranged in the lower portion of a reaction chamber, so is a copper substrate in the upper potion thereof, and so is a tungsten catalyst heated at 1600˚C between the gas inlet and the substrate. An ammonia gas introduced from the gas inlet is decomposed by the tungsten catalyst, and a chemical species produced through the decomposition is reacted with the copper substrate surface, thereby removing contaminants on the copper surface through reduction and forming a Cu3N thin film on the copper surface. This Cu3N thin film serves as an oxidation preventing film, and is removed through thermal decomposition when heated to a temperature not less than 300˚C, thereby leaving a clean copper surface behind.
(FR)Pour cette invention, une alimentation par injection de gaz est établie dans la partie inférieure de la chambre de réaction, ainsi qu’un substrat de cuivre dans la partie supérieure de ce dispositif ; enfin un catalyseur de tungstène est chauffé à 1600°C entre l’arrivée de gaz et le substrat. Un gaz ammoniacal, introduit par l’arrivée de gaz, est décomposé par le catalyseur de tungstène, et une espèce chimique, produite par cette décomposition, est le fruit d’une réaction à la surface du substrat de cuivre, éliminant ainsi les agents de contamination présents sur la surface de cuivre en réduisant et en formant une couche mince de Cu3N sur la surface de cuivre. Cette couche mince de Cu3N joue le rôle d’une pellicule anti-oxydante, et est éliminée par décomposition thermique lorsqu’elle est chauffée à une température minimale de 300°C, laissant ainsi une surface de cuivre propre.
(JA) 反応室下部にガス流入口、上部に銅基板、その中間に1600°Cに加熱されたタングステン触媒体が設置されており、ガス流入口から導入されたアンモニアガスはタングステン触媒体で分解され、分解生成した化学種が銅基板表面と反応し、銅表面汚染物を還元除去し、かつ銅基板表面にCuN薄膜が形成される。このCuN膜は、銅の酸化防止膜の作用を有する。またこのCuN膜は300°C以上に加熱すると熱分解して除去され、後に清浄な銅表面をもたらす。    
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)