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1. (WO2005121418) III GROUP NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF, AND III GROUP NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/121418    International Application No.:    PCT/JP2005/007316
Publication Date: 22.12.2005 International Filing Date: 15.04.2005
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 11/00 (2006.01), C30B 11/06 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01), C30B 9/00 (2006.01), C30B 9/10 (2006.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
SASAKI, Takatomo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORI, Yusuke [JP/JP]; (JP).
YOSHIMURA, Masashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWAMURA, Fumio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAHATA, Seiji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIROTA, Ryu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SASAKI, Takatomo; (JP).
MORI, Yusuke; (JP).
YOSHIMURA, Masashi; (JP).
KAWAMURA, Fumio; (JP).
NAKAHATA, Seiji; (JP).
HIROTA, Ryu; (JP)
Agent: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Mitsui Sumitomo Bank Minamimorimachi Bldg. 1-29, Minamimorimachi 2-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300054 (JP)
Priority Data:
2004-171452 09.06.2004 JP
Title (EN) III GROUP NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF, AND III GROUP NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE III ET PROCÉDÉ POUR LA PRÉPARATION DE CELUI-CI, SUBSTRAT DE CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE III ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) III族窒化物結晶およびその製造方法、ならびにIII族窒化物結晶基板および半導体デバイス
Abstract: front page image
(EN)A method for preparing a III Group nitride crystal, which has a step of providing a seed crystal (10) and a step of growing a first III Group nitride crystal (21) on the seed crystal (10) with the liquid phase method, characterized in that in the step of growing a first III Group nitride crystal (21) on the seed crystal (10), the crystal growing rate (VH) in the direction being parallel with the main plane (10h) of the seed crystal (10) is greater than the crystal growing rate (VV) in the direction being vertical to the main plane (10h) of the seed crystal (10). The above method allows the preparation of a III Group nitride crystal having a dislocation density in the plane parallel with the main plane (10h) of the seed crystal (10) being as low as 5 × 106 pieces/cm2 or less.
(FR)Procédé pour la préparation d’un cristal de nitrure du groupe III, avec une étape de fourniture d’un cristal germe (10) et une étape de croissance d’un premier cristal de nitrure du groupe III (21) sur le cristal germe (10) avec le procédé de la phase liquide, caractérisé du fait que lors de l'étape de croissance d’un premier cristal de nitrure du groupe III (21) sur le cristal germe (10), le taux de croissance du cristal (VH) dans la direction parallèle au plan principal (10h) du cristal germe (10) est supérieur au taux de croissance du cristal (VV) dans la direction verticale au plan principal (10h) du cristal germe (10). Le procédé ci-dessus permet la préparation d’un cristal de nitrure du groupe III ayant une densité des dislocations dans le plan parallèles au plan principal (10h) du cristal germe (10) de 5 × 106 pièces/cm2 ou moins.
(JA) 種結晶(10)を準備する工程と、液相法により種結晶(10)に第1のIII族窒化物結晶(21)を成長させる工程とを含み、種結晶(10)に第1のIII族窒化物結晶(21)を成長させる工程は、種結晶(10)の主面(10h)に平行な方向の結晶成長速度VHが、種結晶(10)の主面(10h)に垂直な方向の結晶成長速度VVより大きいことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。上記製造方法により、種結晶(10)の主面(10h)に平行な面の転位密度が5×106個/cm2以下と低いIII族窒化物結晶が得られる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)