WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2005121394) MAGNETRON SPUTTERING METHOD AND MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/121394    International Application No.:    PCT/JP2005/010385
Publication Date: 22.12.2005 International Filing Date: 07.06.2005
IPC:
C23C 14/35 (2006.01)
Applicants: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (For All Designated States Except US).
OTA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAGUCHI, Shinichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGIURA, Isao [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANI, Noriaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ARAI, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KIYOTA, Junya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OTA, Atsushi; (JP).
TAGUCHI, Shinichiro; (JP).
SUGIURA, Isao; (JP).
TANI, Noriaki; (JP).
ARAI, Makoto; (JP).
KIYOTA, Junya; (JP)
Agent: ABE, Hideki; Toranomonkougyou Bldg., 3F, 1-2-18, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2004-168653 07.06.2004 JP
Title (EN) MAGNETRON SPUTTERING METHOD AND MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION CATHODIQUE DE MAGNÉTRONS ET SYSTÈME DE PULVÉRISATION CATHODIQUE DE MAGNÉTRONS
(JA) マグネトロンスパッタリング方法及びマグネトロンスパッタリング装置
Abstract: front page image
(EN)A magnetron sputtering method and a magnetron sputtering system enable to significantly reduce abnormal discharge on the target surface and non-erosion regions causing deposition of a target material. A plurality of targets (8A, 8B, 8C, 8D) are so arranged in the vacuum as to be electrically independent from one another, and sputtering is performed by generating magnetron discharge in the vicinity of the targets (8A, 8B, 8C, 8D). At the time of sputtering, voltages having a phase difference of 180° are applied alternately to adjacent targets (8A, 8B, 8C, 8D) at a specified timing.
(FR)Il est prévu un procédé de pulvérisation cathodique de magnétrons et un système de pulvérisation cathodique de magnétrons susceptibles de réduire de manière significative la décharge anormale sur la surface cible et sur des régions de non-érosion provoquant le dépôt d’un matériau cible. Une pluralité de cibles (8A, 8B, 8C, 8D) sont ainsi disposées dans le vide de manière indépendante électriquement l’une de l’autre et la pulvérisation cathodique passe par une décharge de magnétrons au voisinage des cibles (8A, 8B, 8C, 8D). Pour réaliser la pulvérisation cathodique, on applique des tensions d’une différence de phase de 180° de manière alternative à des cibles adjacentes (8A, 8B, 8C, 8D) selon un minutage bien précis.
(JA) ターゲット表面における異常放電及びターゲット材料の堆積の原因となる非エロージョン領域を大幅に減少させることができるマグネトロンスパッタリング方法及びマグネトロンスパッタリング装置を提供する。  本発明は、真空中に複数のターゲット8A、8B、8C、8Dを電気的に独立させた状態で配置し、ターゲット8A、8B、8C、8Dの近傍においてマグネトロン放電を発生させてスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング方法である。本発明においては、スパッタリングの際、隣接するターゲット8A、8B、8C、8Dに対して所定のタイミングで180°位相の異なる電圧を交互に印加する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)