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1. (WO2005119912) COIL LOAD DRIVE OUTPUT CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/119912    International Application No.:    PCT/JP2005/010039
Publication Date: 15.12.2005 International Filing Date: 01.06.2005
IPC:
H03K 17/16 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01), H03K 19/0175 (2006.01)
Applicants: ROHM CO., LTD [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi Kyoto 6158585 (JP) (For All Designated States Except US).
OKUBO, Toshiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OKUBO, Toshiro; (JP)
Agent: FUJIKAWA, Tsuneo; KONAN PATENT OFFICE 9-82, Ichiriyama 4-chome, Otsu-shi Shiga 5202153 (JP)
Priority Data:
2004-164291 02.06.2004 JP
Title (EN) COIL LOAD DRIVE OUTPUT CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE SORTIE D’ATTAQUE DE CHARGE DE BOBINE
(JA) コイル負荷駆動出力回路
Abstract: front page image
(EN)A coil load drive output circuit capable of reducing radiant noise caused by switching. The coil load drive output circuit (1) comprises first and second control transistors (17,18) for outputting a power supply side drive transistor control voltage; first and second current limitation impedance elements (19,20) for limiting the currents of the first and second control transistors (17,18); third and fourth control transistors (26,27) for outputting a ground side drive transistor control voltage; third and fourth current limitation impedance elements (28,29) for limiting the currents of the third and fourth control transistors (26,27); power supply side and ground side drive transistors (30,31) controlled by the power supply side and ground side drive transistor control voltages, respectively, for outputting a drive voltage for a coil load (2); and power supply side and ground side detection transistors (24,15) controlled by the power supply side and ground side drive transistor control voltages, respectively, for forcing the ground side or power supply side drive transistor, which is currently in on-state, into off-state.
(FR)Circuit de sortie d’attaque de charge de bobine capable de réduire le bruit rayonné généré par la commutation. Le circuit de sortie d’attaque de charge de bobine (1) comprend des premier et deuxième transistors de commande (17, 18) pour fournir une tension de commande de transistor d’attaque côté alimentation ; des premier et deuxième éléments d’impédance à limitation de courant (19, 20) pour limiter les courants des premier et deuxième transistors de commande (17, 18) ; des troisième et quatrième transistors de commande (26, 27) pour fournir une tension de commande de transistor d’attaque côté masse ; des troisième et quatrième éléments d’impédance de limitation de courant (28,29) pour limiter les courants des troisième et quatrième transistors de commande (26, 27) ; des transistors d’attaque côté alimentation et côté masse (30, 31) commandés par les tensions de commande de transistor d’attaque côté alimentation et côté masse, respectivement, pour fournir une tension d’attaque pour une charge de bobine (2) ; et des transistors de détection côté alimentation et côté masse (24, 15) commandés par les tensions de commande de transistor d’attaque côté alimentation et côté masse, respectivement, pour amener le transistor d’attaque côté masse ou côté alimentation, actuellement dans un état conducteur, dans un état non conducteur.
(JA) スイッチングによる輻射ノイズを低減することができるコイル負荷駆動出力回路を提供する。このコイル負荷駆動出力回路1は、電源側駆動トランジスタ制御電圧を出力する第1及び第2の制御トランジスタ17、18と、それらの電流を制限する第1及び第2の電流制限インピーダンス素子19、20と、接地側駆動トランジスタ制御電圧を出力する第3及び第4の制御トランジスタ26、27と、それらの電流を制限する第3及び第4の電流制限インピーダンス素子28、29と、それぞれが電源側又は接地側駆動トランジスタ制御電圧により制御され、コイル負荷2の駆動電圧を出力する電源側及び接地側駆動トランジスタ30、31と、それぞれが電源側又は接地側駆動トランジスタ制御電圧により制御され、オンしていると強制的に接地側又は電源側駆動トランジスタをオフする電源側及び接地側検出トランジスタ24、15と、を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)