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1. (WO2005119806) X-RAY DETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/119806    International Application No.:    PCT/EP2005/052458
Publication Date: 15.12.2005 International Filing Date: 30.05.2005
IPC:
H01L 27/30 (2006.01), H01L 31/0232 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
SPAHN, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: SPAHN, Martin; (DE)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Priority Data:
10 2004 026 618.2 01.06.2004 DE
Title (DE) RÖNTGENDETEKTOR
(EN) X-RAY DETECTOR
(FR) DETECTEUR DE RAYONS X
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Röntgendetektor mit einer Röntgenstrahlung in Licht (L) umwandelnden Konverterschicht (2) und einem auf einem Substrat (8) aufgebrachten, aus einer Vielzahl von Fotodioden (6) gebildeten Array (7) zur Erfassung des Lichts (L). Die Fotodioden (6) sind aus einem organischen Halbleitermaterial hergestellt. Die Fotodioden (6) sind mit einer für mit dem Halbleitermaterial reagierende Stoffe im Wesentlichen undurchlässigen Hülle (5, 8, 9, 10) umgeben.
(EN)The invention relates to an X-ray detector with a converter layer (2), converting X-ray radiation into light (L) and an array (7), for recording the light (L), formed from a number of photodiodes (6), arranged on a substrate (8). The photodiodes (6) are made from an organic semiconductor material. The photodiodes are enclosed in a shell (5, 8, 9, 10), essentially impermeable to materials which might react with the semiconductor material.
(FR)L'invention concerne un détecteur de rayons X comprenant une couche de convertisseur (2) convertissant le rayonnement X en lumière (L), et un réseau (7) de détection de la lumière (L), formé d'une pluralité de photodiodes (6), appliqué sur un substrat (8). Les photodiodes (6) sont en un matériau semi-conducteur organique. Les photodiodes (6) sont entourées d'une enveloppe (5, 8, 9, 10) sensiblement imperméable aux substances réagissant avec le matériau semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)