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Considered void 2006-01-27 00:00:00.0

Pub. No.:    WO/2005/119783    International Application No.:    PCT/US2005/017404
Publication Date: 15.12.2005 International Filing Date: 18.05.2005
H01L 29/00 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID 83716 (US) (For All Designated States Except US).
FORBES, Leonard [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: FORBES, Leonard; (US)
Agent: BOLVIN, Kenneth; Leffert Jay & Polglaze, P.A., 150 South Fifth Street, Suite 1900, Minneapolis, MN 55402 (US)
Priority Data:
10/847,840 18.05.2004 US
Abstract: front page image
(EN)A split NROM flash memory cell is comprised of source/drain regions in a substrate. The split nitride charge storage regions are insulated from the substrate by a first layer of oxide material and from a control gate by a second layer of oxide material. The nitride storage regions are isolated from each other by a depression in the control gate. In a vertical embodiment, the split nitride storage regions are separated by an oxide pillar. The cell is programmed by creating a positive charge on the nitride storage regions and biasing the drain region while grounding the source region. This creates a virtual source/drain region near the drain region such that the hot electrons are accelerated in the narrow pinched off region. The electrons become ballistic and are directly injected onto the nitride storage region that is adjacent to the pinched off channel region.
(FR)L'invention concerne une cellule de mémoire flash NROM divisée composée de zones de source/drain dans un substrat. Les zones de stockage de charge au nitrure divisées sont isolées du substrat par une première couche de matériau d'oxyde et d'une grille de commande par une deuxième couche de matériau d'oxyde. Les zones de stockage au nitrure sont isolées mutuellement par une dépression créée dans la grille de commande. En configuration verticale, les zones de stockage au nitrure divisées sont séparées par une colonne d'oxyde. La cellule est programmée par création d'une charge positive sur les zones de stockage de charge au nitrure et polarisation de la zone de drain tandis que la zone de source est mise à la terre. Ainsi, on crée une zone de source/drain virtuelle à proximité de la zone de drain de telle manière que des électrons chauds sont accélérés dans les zones étroites pincées. Les électrons deviennent balistiques et sont directement injectés sur la zone de stockage au nitrure adjacente à la zone de canal pincé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)