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1. (WO2005119782) THIN-FILM SOLAR CELL INTERCONNECTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/119782    International Application No.:    PCT/AU2005/000734
Publication Date: 15.12.2005 International Filing Date: 23.05.2005
IPC:
H01L 27/142 (2006.01)
Applicants: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED [AU/AU]; Rupert Myers Building, Gate 14, Barker Street, University of New South Wales, NSW 2052 (AU) (For All Designated States Except US).
WALSH, Timothy, Michael [AU/AU]; (AU) (For US Only).
ABERLE, Armin, Gerhard [DE/AU]; (AU) (For US Only).
WENHAM, Stewart, Ross [AU/AU]; (AU) (For US Only)
Inventors: WALSH, Timothy, Michael; (AU).
ABERLE, Armin, Gerhard; (AU).
WENHAM, Stewart, Ross; (AU)
Agent: SPRUSON & FERGUSON; GPO BOX 3898, Sydney, NSW 2001 (AU)
Priority Data:
2004903028 04.06.2004 AU
Title (EN) THIN-FILM SOLAR CELL INTERCONNECTION
(FR) INTERCONNEXION DE PHOTOPILES EN COUCHES MINCES
Abstract: front page image
(EN)A method of interconnecting thin-film solar cells formed on a foreign insulating substrate or superstrate is described: the top and bottom layers of the thin-film solar cells having a sheet resistances below 10,000 Ω/sq. The method comprises the steps of forming a thin-film solar cell structure comprising at least an n+-type layer (2,3) and a p+ type layer (4) on the foreign substrate/superstrate, and forming one or more electrical contacts (19), each contact being between an n+ type layer on one portion of the substrate/superstrate to a p+-type layer (16) on an adjacent portion of the substrate/superstrate. Each electrical contact (19) is formed, at least in part, from respective materials of the n+ type layer (2,3) and the p+ type layer (4) of the initially formed solar cell structure: and the materials of the n+ type layer (2,3) and the p+ type layer (4) forming at least part of each electrical contact are brought into a liquid phase by eg laser a first time and subsequently into a mixed solid phase (16) during the formation of the other side of the electrical contact (19). Deposition of a conductor at the bottom of the groove formed by the laser forms the electrical interconnection (19) between the neighbouring cells.
(FR)L'invention concerne un procédé d'interconnexion de photopiles en couches minces formées sur un substrat ou un superstrat d'isolation étranger, les couches supérieures et inférieures de ces photopiles présentant une résistance de couche inférieure à 10 000 O/sq. Le procédé selon l'invention consiste : à former une structure de photopile en couches minces comprenant au moins une couche de type n+ (2, 3) et une couche de type p+ (4) sur le substrat/superstrat étranger ; et à former au moins un contact électrique (19), chaque contact se situant entre une couche de type n+ sur une partie du substrat/superstrat et une couche de type p+ (16) sur une partie adjacente du substrat/superstrat. Chaque contact électrique (19) est formé, au moins partiellement, à partir des matériaux respectifs de la couche de type n+ (2, 3) et de la couche de type p+ (4) de la structure de photopile initialement formée. Les matériaux de la couche de type n+ (2, 3) et de la couche de type p+ (4) formant au moins une partie de chaque contact électrique sont mis en phase liquide une première fois par un laser, puis en phase solide mixte (10) pendant la formation d'un côté du contact électrique (19) et après l'application d'un matériau dopant de polarité opposée à celle de l'autre paroi latérale, en déplaçant le laser vers le côté et en répétant l'émission laser, de sorte à former une phase solide mixte (16) pendant la formation de l'autre côté du contact électrique (19). Le dépôt d'un conducteur dans le fond de la rainure formée par le laser permet d'obtenir l'interconnexion électrique (19) entre les photopiles voisines.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)