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1. (WO2005119229) METHOD OF MEASURING CONCENTRATION OF IMPURITY ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/119229    International Application No.:    PCT/JP2005/010146
Publication Date: 15.12.2005 International Filing Date: 02.06.2005
IPC:
G01N 23/225 (2006.01)
Applicants: KOMATSU ELECTRONIC METALS CO., LTD. [JP/JP]; 25-1, Shinomiya 3-chome, Hiratsuka-shi, Kanagawa 2540014 (JP) (For All Designated States Except US).
NAGAI, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIDA, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAGAI, Kiyoshi; (JP).
ISHIDA, Tetsuo; (JP)
Agent: SHOBAYASHI, Masayuki; Takase Bldg. 25-8, Higashi-ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
Priority Data:
2004-166145 03.06.2004 JP
Title (EN) METHOD OF MEASURING CONCENTRATION OF IMPURITY ELEMENT
(FR) PROCEDE POUR MESURER LA CONCENTRATION D'UN ELEMENT D'IMPURETE
(JA) 不純物元素の濃度の測定の方法
Abstract: front page image
(EN)A method of in SIMS (secondary ion mass spectrometry) using a raster variation method, shortening the standby time from setting of a sample in chamber to attainment of stabilization of secondary ion intensity. There is provided a method comprising making such an approximation that any difference between over-time changes of secondary ion intensities sequentially measured relative to two mutually different primary ion irradiation densities becomes constant, so that even when the secondary ion intensities change over time, there can be realized an accurate measuring of the concentration of impurity taking background noise into account.
(FR)L'invention concerne un procédé SIMS (spectrométrie de masse des ions secondaires) qui fait appel à une méthode de variation de grille et raccourcit le temps d'attente entre la mise d'un échantillon dans une chambre et l'obtention de la stabilisation d'intensité des ions secondaires. La présente invention porte également sur un procédé consistant à faire une approximation telle que toute différence entre les changements dans le temps des intensités d'ions secondaires, ces changements étant mesurés de manière séquentielle relativement à deux densités différentes d'irradiation d'ions primaires, devient constante. Ainsi, même lorsque les intensités d'ions secondaires changent au fil du temps, il est possible d'effectuer une mesure précise de la concentration d'impuretés, en tenant compte du bruit de fond.
(JA) ラスタ変化法を用いたSIMS分析(二次イオン質量分析)に際して、試料をチャンバ内にセットしてから二次イオンの強度が安定するまでの待機時間を短縮させる方法を提供する。二つの異なる一次イオンの照射密度に対して逐次測定した二次イオンの強度の経時変化の差が一定になるように近似をすることにより、二次イオンの強度が経時変化している場合であっても、バックグランドノイズを考慮した不純物の濃度の精密な測定が可能となる方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)