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1. (WO2005119227) SEMICONDUCTOR APPEARANCE INSPECTING DEVICE AND ILLUMINATING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/119227    International Application No.:    PCT/JP2005/010625
Publication Date: 15.12.2005 International Filing Date: 03.06.2005
IPC:
G01N 21/956 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: Tokyo Seimitsu Co., Ltd. [JP/JP]; 7-1, Shimorenjaku 9-chome, Mitaka-shi, Tokyo 1818515 (JP) (For All Designated States Except US).
MIYAZAKI, Yoko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUROSAWA, Toshiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAMURA, Muneaki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MIYAZAKI, Yoko; (JP).
KUROSAWA, Toshiro; (JP).
TAMURA, Muneaki; (JP)
Agent: AOKI, Atsushi; A. AOKI, ISHIDA & ASSOCIATES Toranomon 37 Mori Bldg. 5-1, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
Priority Data:
2004-167130 04.06.2004 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR APPEARANCE INSPECTING DEVICE AND ILLUMINATING METHOD
(FR) DISPOSITIF D’INSPECTION D’APPARENCE DE SEMI-CONDUCTEUR ET MÉTHODE D’ILLUMINATION
(JA) 半導体外観検査装置及び照明方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor appearance inspecting device for inspecting the appearance of a semiconductor device to be inspected by means of the optical image of the semiconductor device. The diffracted light from over the entire object to be inspected during dark field illumination is well collected, and illumination enabling reduction of the degradation of the defect detection sensitivity of the inspecting device for the entire object is realized. The semiconductor appearance inspecting device comprises an operation control section (52) which conducts dark field illumination by means of a semiconductor light-emitting element array (51) composed of semiconductor light-emitting elements (54) such that their emitted light wavelengths, their angles of incidence on the object (1) and their angles of direction of the illuminating light beams toward the object (1) are different from one another, selects a semiconductor light-emitting element (54) of the emission wavelength, angle of incidence, and angle of direction of the illuminating light beam suitable for the part to be inspected of the object from the semiconductor light-emitting element array (41), and controls the operation.
(FR)Dispositif d’inspection d’apparence de semi-conducteur pour inspecter l’apparence d’un dispositif semi-conducteur à inspecter au moyen d’une image optique du dispositif semi-conducteur. La lumière diffractée par l’objet en entier devant être inspectée pendant une illumination de champ sombre est correctement collectée et la réduction, qui permet l’illumination, de la dégradation de la sensibilité de détection de défaut du dispositif d’inspection pour l’objet entier est réalisée. Le dispositif d’inspection d’apparence de semi-conducteur comprend une section de contrôle de fonctionnement (52) qui conduit l’illumination de champ sombre au moyen d’une matrice d’éléments semi-conducteurs émettant de la lumière (51) composée d’éléments semi-conducteurs émettant de la lumière (54) tels que leurs longueurs d’onde émises, leurs angles d’incidence sur l’objet (1) et leurs angles de direction des rayons lumineux d’illumination vers l’objet (1) sont différents les uns des autres, sélectionne un élément semi-conducteur émettant de la lumière (54) de la longueur d’onde d’émission, de l’angle d’incidence et de l’angle de direction du rayon lumineux d’illumination adaptés à la partie à inspecter de l’objet par la matrice d’éléments semi-conducteurs émettant de la lumière (41) et contrôle le fonctionnement.
(JA)被検査物体である半導体装置の光学像に基づきその外観検査を行う半導体外観検査装置において、暗視野照明時の被検査物体からの回折光を被検査物体の全域で良好に取得し、かつ検査装置の欠陥検出感度の低下を被検査物体の全域で低減する照明を実現する。このために、発光波長、被検査物体(1)への入射角度、被検査物体(1)への照射光の方位角が異なる複数の半導体発光素子(54)からなる半導体発光素子アレイ(51)により暗視野照明を行い、被検査物体(1)上の被検査部分に適した発光波長、入射角度、照明光の方位角の半導体発光素子(54)を半導体発光素子アレイ(41)から選んで点灯制御する点灯制御部(52)を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)