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1. (WO2005118911) PLASMA CVD EQUIPMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/118911    International Application No.:    PCT/JP2005/009373
Publication Date: 15.12.2005 International Filing Date: 23.05.2005
IPC:
C23C 16/509 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1078481 (JP) (For All Designated States Except US).
MAEBASHI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MAEBASHI, Satoshi; (JP)
Agent: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu4-Chome Shibuya-Ku, Tokyo 1506032 (JP)
Priority Data:
2004-165630 03.06.2004 JP
Title (EN) PLASMA CVD EQUIPMENT
(FR) ÉQUIPEMENT PLASMA CVD
(JA) プラズマCVD装置
Abstract: front page image
(EN)Plasma CVD equipment by which increase of a voltage applied on a board to be processed is suppressed, a board is prevented from being damaged and a yield is improved. In the plasma CVD equipment, a material gas is decomposed by plasma discharge in a chamber which can be depressurized, and a conductive film is formed on a board to be processed. When a cumulative number of times of film forming processes reaches a prescribed value, the inside of the chamber is dry-cleaned to be returned to the initial state. The plasma CVD equipment is provided with an insulator stage whereupon a board to be processed is placed in the chamber; a grounding electrode buried in the stage; a high-frequency electrode provided in the chamber by facing the grounding electrode; a high-frequency power supply for supplying the high-frequency electrode with high-frequency waves for generating plasma; and a fixed capacitor inserted between the grounding electrode and the grounding potential for suppressing the increase of the voltage applied on the board due to deterioration of stage impedance between the grounding electrode and the board as the cumulative number of times of the film forming processes increases from the initial state.
(FR)Un équipement plasma CVD au moyen duquel l'augmentation de la tension appliquée sur une plaque à traiter est supprimée, la plaque est protégée de tout dommage et un rendement est amélioré. Dans l'équipement plasma CVD, une matière gazeuse est décomposée par décharge plasmatique dans une chambre qui peut être pressurisée, et une pellicule conductrice se forme sur la plaque à traiter. Lorsque le nombre cumulé de processus de formation de pellicule réalisé atteint une valeur donnée, l'intérieur de la chambre est nettoyé à sec afin de le remettre en état initial. L'équipement plasma CVD est fourni avec une plate-forme isolante sur laquelle la plaque à traiter est placée dans la chambre ; une électrode de mise à terre enfermée dans la plate-forme ; une électrode haute fréquence est fournie dans la chambre en face de l'électrode de mise à terre ; une alimentation haute fréquence pour alimenter l'électrode haute fréquence avec des ondes haute fréquence pour produire le plasma ; et un condensateur fixé inséré entre l'électrode de mise à terre et le potentiel de mise à terre pour supprimer l'augmentation de tension appliquée sur la plaque en raison de la détérioration l'impédance de la plate-forme entre l'électrode de mise à terre et la plaque lorsque le nombre cumulé de processus de formation de pellicule réalisé augmente depuis l'état initial.
(JA) 本発明は、被処理基板にかかる電圧の増加が抑制され、基板のダメージを防止し、歩留まりを改善するプラズマCVD装置を提供することを課題としている。  本発明は、上記の課題を、減圧可能なチャンバ内で原料ガスをプラズマ放電で分解して被処理基板上に導電膜を形成し、成膜処理の累積回数が所定値に達すると前記チャンバ内をドライクリーニングして初期状態に戻すプラズマCVD 装置において、前記チャンバ内で被処理基板を載置する絶縁体ステージと、前記ステージに埋設された接地電極と、前記チャンバ内に前記接地電極と対向して設けられた高周波電極と、前記高周波電極にプラズマ生成用の高周波を供給する高周波電源と、前記初期状態から前記成膜処理の累積回数が増大するにつれて前記接地電極と前記基板との間のステージ・インピーダンスが低下することによる前記基板にかかる電圧の増加を抑制するために、前記接地電極とグランド電位との間に挿入された固定コンデンサと、を有するプラズマCVD装置を用いて解決する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)