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1. (WO2005117260) HIGH VOLTAGE SWITCH USING LOW VOLTAGE CMOS TRANSISTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/117260    International Application No.:    PCT/IB2005/051620
Publication Date: 08.12.2005 International Filing Date: 18.05.2005
IPC:
H03K 17/0812 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
SNEEP, Jacobus, G. [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: SNEEP, Jacobus, G.; (NL)
Agent: STEENBEEK, Leonardus, J.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Priority Data:
04102379.7 28.05.2004 EP
Title (EN) HIGH VOLTAGE SWITCH USING LOW VOLTAGE CMOS TRANSISTORS
(FR) COMMUTATEUR HAUTE TENSION UTILISANT DES TRANSISTORS CMOS BASSE TENSION
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to an electronic switch capable of rail-to-rail input voltage swing exceeding the voltage rating for a certain technology in which the switch element of the switch is implemented. For example the switch element could be a complementary coupled pair of nMOS and pMOS transistors in a CMOS technology. Two voltage dividers are used to provide a floating supply voltage to the switch element from the supply voltage. This floating supply voltage is always within the supply voltage independent from the input voltage thus allowing a rail-to-rail voltage at the input terminal of the switch while keeping the floating supply voltage within the critical breakdown voltage for the switch element. A switch according to the invention may be formed in standard CMOS technology and it can be implemented to function at switching frequencies up to at least 50 MHz. The switch elements according to the invention can be cascaded thus obtaining an even higher maximum differential input-output voltage than with one switch.
(FR)L'invention concerne un commutateur électronique pouvant présenter une excursion de tension d'entrée d'un pôle à l'autre dépassant la tension nominale pour une certaine technologie dans laquelle l'élément de commutation du commutateur est mis en oeuvre. Par exemple, l'élément de commutation peut être une paire couplée complémentaire de transistors nMOS et pMOS dans une technologie CMOS. Deux diviseurs de tension sont utilisés pour fournir une tension d'alimentation flottante à l'élément de commutation à partir de la tension d'alimentation. Ladite tension d'alimentation flottante est toujours dans la plage de tensions d'alimentation indépendante de la tension d'entrée, permettant ainsi d'obtenir une tension d'un pôle à l'autre au niveau de la borne d'entrée du commutateur tout en maintenant la tension d'alimentation flottante dans la tension de claquage critique pour l'élément de commutation. Un commutateur selon l'invention peut être formé selon une technologie CMOS classique et il peut être mis en oeuvre pour fonctionner à des fréquences de commutation allant jusqu'au moins 50 MHz. Les éléments de commutation selon l'invention peuvent être cascadés, permettant ainsi d'obtenir une tension d'entrée-sortie différentielle maximale encore plus élevée qu'avec un commutateur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)