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1. (WO2005117133) ESD-PROTECTION STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/117133    International Application No.:    PCT/DE2005/000896
Publication Date: 08.12.2005 International Filing Date: 17.05.2005
IPC:
H01L 29/861 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
RUNDE, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LANGGUTH, Gernot [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ROESCHLAU, Klaus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MUELLER, Karlheinz [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: RUNDE, Michael; (DE).
LANGGUTH, Gernot; (DE).
ROESCHLAU, Klaus; (DE).
MUELLER, Karlheinz; (DE)
Agent: HUDLER, Frank; LIPPERT, STACHOW & PARTNER, Krenkelstr. 3, 01309 Dresden (DE)
Priority Data:
10 2004 026 100.8 25.05.2004 DE
Title (DE) ESD-SCHUTZSTRUKTUREN FÜR HALBLEITERBAUELEMENTE
(EN) ESD-PROTECTION STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTS
(FR) STRUCTURES DE PROTECTION CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES POUR ELEMENTS SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine ESD-Schutzstruktur für Halbleiterbauelemente, bestehend aus zumindest einer Halbleiterdiode, deren p- und n-leitenden Zonen elektrisch mit jeweils einem Gebiet des gleichen Ladungsträgertyps des zu schützenden Bauteils des Halbleiterbauelements an einer ersten und zweiten Kontaktstelle kontaktiert ist. Eine erste Zone des einen Ladungsträgertyps der Halbleiterdiode bedeckt zumindest abschnittsweise die Innenfläche eines im Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements ausgebildeten Kanals und in der Kanalumgebung eine zweite Zone des anderen Ladungsträgertyps an die erste Zone angrenzend ausgebildet ist, die erste Zone durch ein entsprechend leitend dotiertes Polysilizium gebildet ist und der von dem Polysilizium nicht ausgefüllte, freie Kanalbereich mit einem Dielektrikum ist ausgefüllt.
(EN)The invention relates to an ESD-protection structure for semiconductor elements, consisting of at least one semiconductor diode, whose p- and n-conductive zones are in electric contact with respective regions of the same charge carrier type of the element to be protected of the semiconductor component at a first and second contact point. A first zone of one charge carrier type of the semiconductor diode covers at least some sections of the inner surface of a channel that is configured in the semiconductor substrate of the semiconductor element and a second zone of the other charge carrier type adjoins the first zone in the vicinity of said channel; the first zone is configured from a polysilicon that has an appropriate conductive doping; and the channel area that is not filled by the polysilicon is filled with a dielectric.
(FR)L'invention concerne une structure ESD de protection contre les décharges électrostatiques pour éléments semi-conducteurs, cette structure comportant au moins une diode semi-conductrice, dont les zones conductrices p et n sont chacune en contact électrique en un premier et en un deuxième emplacement avec une zone du même type de porteur de charges de la pièce à protéger de l'élément semi-conducteur. L'invention vise à réaliser des structures ESD de protection à faibles coûts de fabrication, ayant des capacités de support de courant accrues pour un encombrement au moins comparable ou bien au moins des capacités de support de courant comparables pour un encombrement moindre. A cet effet, une première zone d'un type de porteur de charges de la diode semi-conductrice couvre au moins partiellement la face interne d'un conduit formé dans le substrat semi-conducteur de l'élément semi-conducteur, dans l'environnement du conduit se trouvant une deuxième zone de l'autre type de porteur de charges, adjacente à la première zone. La première zone est formée d'un polysilicium doté conducteur en conséquence. La zone du conduit libre et sans polysilicium est remplie d'un diélectrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)