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1. (WO2005117131) ELECTRIC DEVICE WITH VERTICAL COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/117131    International Application No.:    PCT/IB2005/051634
Publication Date: 08.12.2005 International Filing Date: 19.05.2005
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
BAKKERS, Erik, P., A., M. [NL/NL]; (NL) (For US Only).
WOLTERS, Robertus, A., M. [NL/NL]; (NL) (For US Only).
KLOOTWIJK, Johan, H. [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: BAKKERS, Erik, P., A., M.; (NL).
WOLTERS, Robertus, A., M.; (NL).
KLOOTWIJK, Johan, H.; (NL)
Agent: ELEVELD, Koop, J.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Priority Data:
04102313.6 26.05.2004 EP
Title (EN) ELECTRIC DEVICE WITH VERTICAL COMPONENT
(FR) DISPOSITIF ELECTRIQUE A COMPOSANT VERTICAL
Abstract: front page image
(EN)A method of providing an electric device with a vertical component and the device itself are disclosed. The electric device may be a transistor device, such as a FET device, with a vertical channel, such as a gate around transistor, or double-gate transistor. First an elongate structure, such as a nanowire is provided to a substrate. Subsequently, a first conductive layer separated from the substrate and from the elongate structure by a dielectric layer is provided. Further, a second conductive layer being separated from the first conductive layer by a separation layer is being provided in contact with at least a top section of the elongate structure.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif électrique ayant un composant vertical et le dispositif lui-même. Le dispositif électrique peut être un dispositif à transistor tel qu'un dispositif TEC présentant un canal vertical tel qu'un transistor entouré d'une grille ou un transistor à double grille. Tout d'abord une structure oblongue telle qu'un nanofil est placée sur un substrat. Ensuite, est prévue une première couche conductrice séparée du substrat et de la structure oblongue par une couche diélectrique. Ensuite, est prévue une seconde couche conductrice, séparée de la première couche conductrice par une couche de séparation, en contact avec au moins une partie supérieure de la structure oblongue.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)