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1. (WO2005117127) QUANTUM DEVICE, QUANTUM LOGIC DEVICE, METHOD OF DRIVING QUANTUM LOGIC DEVICE, AND LOGIC CIRCUIT BY QUANTUM LOGIC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2005/117127 International Application No.: PCT/JP2005/009693
Publication Date: 08.12.2005 International Filing Date: 26.05.2005
Chapter 2 Demand Filed: 21.02.2006
IPC:
H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H03K 19/02 (2006.01) ,H03K 19/20 (2006.01)
Applicants: KATAYAMA, Yasunao[JP/JP]; JP (UsOnly)
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION[US/US]; New Orchard Road, Armonk, New York 10504, US (AllExceptUS)
Inventors: KATAYAMA, Yasunao; JP
Agent: SAKAGUCHI, Hiroshi; c/o Yamato site, IBM Japan Ltd. 1623-14, Shimotsuruma, Yamato-shi Kanagawa 2428502, JP
Priority Data:
2004-16242531.05.2004JP
Title (EN) QUANTUM DEVICE, QUANTUM LOGIC DEVICE, METHOD OF DRIVING QUANTUM LOGIC DEVICE, AND LOGIC CIRCUIT BY QUANTUM LOGIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF QUANTIQUE, DISPOSITIF DE LOGIQUE QUANTIQUE, MÉTHODE DE COMMANDE DE DISPOSITIF DE LOGIQUE QUANTIQUE ET DE CIRCUIT LOGIQUE PAR DISPOSITIF DE LOGIQUE QUANTIQUE
(JA) 量子デバイス、量子論理デバイス、量子論理デバイスの駆動方法および量子論理デバイスによる論理回路
Abstract: front page image
(EN) [PROBLEMS] To provide a technique achieving a performance surpassing the current CMOS technology from the viewpoint of microfabrication and power consumption, and capable of realizing a logic circuit of a system not contradictory to mounting a classic computer employing an existing sequential circuit. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A quantum device comprises first conductive members (101a, 101b) and second conductive members (102a, 102b) confining carriers in the z direction and having two-dimensional electron gas on the xy plane, third conductive members (103a, 103b) generating an electric field having an effect on the first conductive members (101a, 101b), an insulating member (104) easily passing a tunnel current between the first conductive members (101a, 101b) and the second conductive members (102a, 102b), and an insulating member (105) hardly passing a tunnel current between the first conductive members (101a, 101b) and the third conductive members (103a, 103b). An electric field generated by a potential applied to the third conductive members (103a, 103b) has an effect on the sub-band of the first conductive members (101a, 101b).
(FR) [PROBLÈMES] fournir une technique obtenant une performance surpassant la technologie CMOS actuelle du point de vue de la microfabrication et de la consommation d’énergie et capable de réaliser un circuit logique ou un système non contradictoire au montage d’un ordinateur classique employant un circuit séquentiel existant. [MOYEN POUR RÉSOUDRE LES PROBLÈMES] un dispositif quantique comprend des premiers organes conducteurs (101a, 101b) et des deuxièmes organes conducteurs (102a, 102b) confinant des porteuses dans la direction z et ayant un gaz d’électrons bidimensionnel sur le plan xy, des troisièmes organes conducteurs (103a, 103b) générant un champ électrique ayant un effet sur les premiers organes conducteurs (101a, 101b), un organe isolant (104) passant facilement un courant tunnel entre les premiers organes conducteurs (101a, 101b) et les deuxièmes organes conducteurs (102a, 102b), et un organe isolant (105) passant à peine un courant tunnel entre les premiers organes conducteurs (101a, 101b) et les troisièmes organes conducteurs (103a, 103b). Un champ électrique généré par un potentiel appliqué aux troisièmes organes conducteurs (103a, 103b) a un effet sur la sous-bande des premiers organes conducteurs (101a, 101b).
(JA) 【課題】 微細化および消費電力の観点から現在のCMOS技術を凌駕する性能を達成し、かつ、既存の順序回路を使った古典計算機の実装と矛盾しない方式の論理回路を実現できる技術を提供する。 【解決手段】 z方向でキャリアが閉じ込められxy平面に二次元電子ガスを持つ第1伝導部材101a,101bおよび第2伝導部材102a,102bと、第1伝導部材101a,101bへの影響を与える電界を生成する第3伝導部材103a,103bと、第1伝導部材101a,101bおよび第2伝導部材102a,102bの間のトンネル電流を流しやすい絶縁部材104と、第1伝導部材101a,101bおよび第3伝導部材103a,103bの間のトンネル電流を流し難い絶縁部材105とを備え、第3伝導部材103a,103bに与える電位により発生する電界によって、第1伝導部材101a,101bのサブバンドに影響を与える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)