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1. (WO2005117087) FORMATION OF A SILICON OXYNITRIDE LAYER ON A HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/117087    International Application No.:    PCT/US2005/016690
Publication Date: 08.12.2005 International Filing Date: 12.05.2005
IPC:
H01L 21/314 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Ave, Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
NARWANKAR, Pravin K. [IN/US]; (US) (For US Only).
HIGASHI, Gregg [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: NARWANKAR, Pravin K.; (US).
HIGASHI, Gregg; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; MOSER, PATTERSON & SHERIDAN, LLP, 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, TX 77056-6582 (US)
Priority Data:
10/851,561 21.05.2004 US
Title (EN) FORMATION OF A SILICON OXYNITRIDE LAYER ON A HIGH-K DIELECTRIC MATERIAL
(FR) FORMATION D'UNE COUCHE D'OXYNITRURE DE SILICIUM SUR UN MATERIAU DIELECTRIQUE A K ELEVE
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the invention provide methods for depositing a capping layer on a dielectric layer disposed on a substrate. In one example, a process includes exposing a substrate to a deposition process to form a dielectric layer thereon, exposing the substrate to sequential pulses of a silicon precursor and an oxidizing gas to form a silicon-containing layer on the dielectric layer during a deposition process, exposing the substrate to a nitridation process to form a capping layer thereon and exposing the substrate to an annealing process for a predetermined time. The capping layer may a thickness of about 5 Å or less. In one example, the oxidizing gas contains water vapor derived from a hydrogen source gas and an oxygen source gas processed by a water vapor generator containing a catalyst. In another example, the deposition, nitridation and annealing processes occur in the same process chamber.
(FR)L'invention concerne, dans des modes de réalisation, des procédés permettant de déposer une couche de recouvrement sur une couche diélectrique placée sur un substrat. Dans un exemple, l'invention concerne un procédé qui consiste à exposer un substrat à un procédé de déposition afin de former sur ce substrat une couche diélectrique, à exposer le substrat à des impulsions séquentielles d'un précurseur de silicium et un gaz oxydant afin de former sur la couche diélectrique une couche contenant du silicium pendant le processus de déposition, à exposer le substrat à un processus de nitruration pour y former une couche de recouvrement et à exposer le substrat à un processus de recuit pendant une durée prédéterminé. L'épaisseur de la couche de recouvrement peut être d'environ 5 Å au maximum. Dans un exemple, le gaz oxydant contient de la vapeur d'eau dérivée d'un gaz source contenant de l'hydrogène et d'un gaz source contenant de l'oxygène que l'on traite par un générateur de vapeur d'eau renfermant un catalyseur. Dans un autre exemple, les processus de déposition, de nitruration et de recuit se produisent dans la même chambre de traitement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)