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1. (WO2005117026) RESISTIVE MEMORY CELL ARRANGEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/117026    International Application No.:    PCT/DE2005/000928
Publication Date: 08.12.2005 International Filing Date: 20.05.2005
IPC:
G11C 16/02 (2006.01)
Applicants: QIMONDA AG [DE/DE]; Gustav-Heinemann-Ring 212, 81739 München (DE) (For All Designated States Except US).
HAPP, Thomas [DE/US]; (US) (For US Only)
Inventors: HAPP, Thomas; (US)
Agent: KOTTMANN, Dieter; Müller Hoffmann & Partner, Innere Wiener Str. 17, 81667 München (DE)
Priority Data:
102004026003.6 27.05.2004 DE
Title (DE) RESISTIVE SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG
(EN) RESISTIVE MEMORY CELL ARRANGEMENT
(FR) ENSEMBLE DE CELLULES DE MEMOIRE RESISTIVES
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Speicherzellen-Anordnung mit einer Mehrzahl von Wort- (WL) und Bitleitungen (BL) und wenigstens einer mit einer der Bitleitungen elektrisch leitend verbundenen Kette (8) von in Serie geschalteten Speicherelementen (6), welche Speicherelemente (6) jeweils aus einer resistiven Speicherzelle (1), die zwischen einem niedrigohmigen AN-Zustand und einem hochohmigen AUS-Zustand geschaltet werden kann, und einem mit der resistiven Speicherzelle (1) in Parallelschaltung elektrisch leitend verbundenen Transistor (4) aufgebaut sind, wobei der AN-Widerstand des in Durchlass geschalteten Transistors (4) eines Speicherelements (6) kleiner ist als der AN-Widerstand der in ihren niedrigohmigen AN-Zustand geschalteten Speicherzelle (1), und wobei jeder Transistor (4) einer jeweiligen Kette (8) mit einer der Wortleitungen elektrisch leitend verbunden ist.
(EN)The invention relates to a memory cell arrangement with a number of word (WL) and bit lines (BL) and at least one chain (8) of memory elements (6) wired in series, electrically connected to the bit lines, said memory elements (6) each comprising a resistive memory cell (1), which can be switched between a low-resistance ON-condition and a high-resistance OFF-condition and a transistor (4) electrically connected in parallel to the resistive memory cell (1). The ON-resistance of the transistor (4) of a memory element (6) in open condition is less than the ON-resistance of memory cell (1) switched in the low-resistance ON-condition and each transistor (4) of a chain (8) is electrically connected to one of the word lines.
(FR)L'invention concerne un ensemble de cellules de mémoire présentant une pluralité de lignes de mot (WL) et de lignes de bit (BL) ainsi qu'au moins une chaîne (8) d'éléments de mémoire (6) en série, reliée de façon électriquement conductrice à une des lignes de bit, lesquels éléments de mémoire (6) sont chacun constitués d'une cellule de mémoire résistive (1), pouvant être commutée entre un état connecté basse impédance et un état déconnecté haute impédance, et d'un transistor (4) relié en parallèle, de façon électriquement conductrice, à la cellule de mémoire résistive (1), la résistance de connexion du transistor (4), à l'état passant, d'un élément de mémoire (6) étant inférieure à la résistance de connexion de la cellule de mémoire (1), dans son état connecté basse impédance, et chaque transistor (4) d'une chaîne (8) étant relié de façon électriquement conductrice à une des lignes de mot.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)