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1. (WO2005114754) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/114754    International Application No.:    PCT/JP2005/009723
Publication Date: 01.12.2005 International Filing Date: 20.05.2005
IPC:
H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058518 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKEDA, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HORIKAWA, Syunji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKEDA, Hitoshi; (JP).
HORIKAWA, Syunji; (JP)
Agent: AOKI, Atsushi; A. AOKI, ISHIDA & ASSOCIATES, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
Priority Data:
2004-153854 24.05.2004 JP
60/576,031 02.06.2004 US
Title (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF LUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE DE GROUPE III
Abstract: front page image
(EN)A Group III nitride semiconductor light emitting device having a light emitting layer (6) bonded to a crystal layer composed of an n-type or p-type Group III nitride semiconductor, the Group III nitride semiconductor light emitting device being characterized by comprising an n-type Group III nitride semiconductor layer (4) having germanium (Ge) added thereto and having a resistivity of 1 x 10-1 to 1 x 10-3 Ωcm. The invention provides a Ge-doped n-type Group III nitride semiconductor layer with low resistance and excellent flatness, in order to obtain a Group III nitride semiconductor light emitting device exhibiting low forward voltage and excellent light emitting efficiency.
(FR)Il est prévu un dispositif luminescent semi-conducteur en nitrure de groupe III ayant une couche luminescente (6) accrochée à une couche de cristal composée d’un semi-conducteur en nitrure de groupe III de type n ou de type p, le dispositif luminescent semi-conducteur en nitrure de groupe III étant caractérisé en ce qu’il comprend une couche semi-conductrice en nitrure de groupe III de type n (4) ayant du germanium (Ge) ajoutée à celle-ci et d’une résistivité comprise entre 1 x 10-1 et 1 x 10-3 Ωcm. L’invention propose une couche semi-conductrice en nitrure de groupe III de type n dopée Ge de faible résistance et d’excellente planéité, pour obtenir un dispositif luminescent semi-conducteur en nitrure de groupe III de faible tension directe et d’excellente efficacité luminescente.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)