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1. (WO2005114741) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SPACER LAYER DOPED WITH SLOWER DIFFUSING ATOMS THAN SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/114741    International Application No.:    PCT/US2005/017631
Publication Date: 01.12.2005 International Filing Date: 19.05.2005
IPC:
H01L 29/76 (2006.01)
Applicants: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 82 Running Hill Road, South Portland, ME 04106 (US) (For All Designated States Except US).
WANG, Qi [CN/US]; (US) (For US Only).
CRELLIN-NGO, Amber [US/US]; (US) (For US Only).
PARAVI, Hossein [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WANG, Qi; (US).
CRELLIN-NGO, Amber; (US).
PARAVI, Hossein; (US)
Agent: FITZGERALD, Thomas, R.; 16 E. Main Street, Suite 210, Rochester, NY 14614-1803 (US)
Priority Data:
10/851,764 21.05.2004 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SPACER LAYER DOPED WITH SLOWER DIFFUSING ATOMS THAN SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A COUCHE D'ESPACEMENT DOPEE AVEC DES ATOMES SE DIFFUSANT PLUS LENTEMENT QUE LES ATOMES DIFFUSES DANS LE SUBSTRAT DU DISPOSITIF
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device includes a silicon substrate heavily-doped with phosphorous. A spacer layer is disposed over the substrate and is doped with, dopant atoms having a diffusion coefficient in the spacer layer material that is less than the diffusion coefficient of phosphorous in silicon. An epitaxial layer is also disposed over the substrate. A device layer is disposed over the substrate, and over the epitaxial and spacer layers.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend un substrat en silicium fortement dopé avec du phosphore. Une couche d'espacement est disposée sur le substrat et est dopée avec des atomes dopants qui présentent un coefficient de diffusion dans le matériau de la couche d'espacement inférieur au coefficient de diffusion du phosphore dans le substrat en silicium. Une couche épitaxiale est également disposée sur le substrat. Une couche de dispositif est disposée sur le substrat ainsi que sur les couches épitaxiale et d'espacement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)