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1. (WO2005114730) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/114730    International Application No.:    PCT/JP2004/006845
Publication Date: 01.12.2005 International Filing Date: 20.05.2004
IPC:
H01L 23/28 (2006.01)
Applicants: SPANSION LLC [US/US]; One AMD Place P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (For All Designated States Except US).
SPANSION JAPAN LIMITED [JP/JP]; 6, Kogyodanchi, Monden-machi Aizuwakamatsu-shi Fukushima 965-0845 (JP) (For All Designated States Except US).
SHINMA, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KASAI, Junichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MEGURO, Kouichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ONODERA, Masanori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANAKA, Junji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHINMA, Yasuhiro; (JP).
KASAI, Junichi; (JP).
MEGURO, Kouichi; (JP).
ONODERA, Masanori; (JP).
TANAKA, Junji; (JP)
Agent: KATAYAMA, Shuhei; Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building 6-1, Kyobashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Priority Data:
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置
Abstract: front page image
(EN)A process for producing a semiconductor device comprising a step for arranging a heat resistant sheet (31) to cover electrode pads (terminals) (17) formed on an interconnecting substrate (11), and a step for resin sealing the interconnecting substrate and the heat resistant sheet (31) by clamping them with dies (41, 42). Since a semiconductor element (14) is resin sealed after protecting the electrode pads (terminals) (17) by covering them with the heat resistant sheet, adhesion of dirt to the electrode pads (terminals) (17) can be prevented. Consequently, resin burrs and contamination of electrode pads on the interconnecting substrate (11) are prevented, and production yield can be increased.
(FR)Il est prévu un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur comprenant une phase consistant à agencer une feuille résistante thermiquement (31) pour recouvrir les patins d’électrode (bornes) (17) formés sur un substrat d’interconnexion (11), et une phase de scellement par résine du substrat d’interconnexion et de la feuille résistante thermiquement (31) en les serrant à l’aide de filières (41, 42). Comme un élément semi-conducteur (14) est scellé par résine après avoir protégé les patins d’électrode (bornes) (17) en les recouvrant de la feuille résistante thermiquement, on peut empêcher l’adhérence de la saleté sur les patins d’électrode (bornes) (17). En conséquence, on empêche les bavures de résine et la contamination des patins d’électrode sur le substrat d’interconnexion (11) et on augmente le rendement de la production.
(JA) 本発明の半導体装置の製造方法は、中継基板11上に形成した電極パッド(端子)17を覆うように耐熱シート31を配置する工程と、中継基板と耐熱シート31とを金型41、42で挟み込み、樹脂封止を行う工程とを有している。電極パッド(端子)17を耐熱シートで覆って電極パッド(端子)17を保護した上で、半導体素子14を樹脂で封止することで、電極パッド(端子)17に汚れが付着する不具合を生じることがない。このため、中継基板11上に発生する樹脂バリや電極パッドの汚染を防止し、製造歩留まりを向上させることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)