WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2005114716) PROCESS FOR METALLIC CONTAMINATION REDUCTION IN SILICON WAFERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/114716    International Application No.:    PCT/US2005/014529
Publication Date: 01.12.2005 International Filing Date: 26.04.2005
IPC:
H01L 21/322 (2006.01)
Applicants: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive, P.O. Box 8, St. Peters, Missouri 63376 (US) (For All Designated States Except US).
SHIVE, Larry, W. [US/US]; (US) (For US Only).
GILMORE, Brian, L. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SHIVE, Larry, W.; (US).
GILMORE, Brian, L.; (US)
Agent: FLEISCHUT, Paul, I.J.; Senniger, Powers, Leavitt & Roedel, #1 Metropolitan Square, 16th Floor, St. Louis, Missouri 63102 (US)
Priority Data:
10/840,854 07.05.2004 US
Title (EN) PROCESS FOR METALLIC CONTAMINATION REDUCTION IN SILICON WAFERS
(FR) PROCESSUS DE REDUCTION D'IMPURETES METALLIQUES DANS DES PLAQUETTES DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A process for removing a contaminant selected from among copper, nickel, and a combination thereof from a silicon wafer having a surface and an interior. The process comprises cooling the silicon wafer in a controlled atmosphere from a temperature at or above an oxidation initiation temperature and initiating a flow of an oxygen-containing atmosphere at said oxidation initiation temperature to create an oxidizing ambient around the silicon wafer surface to form an oxide layer on the silicon wafer surface and a strain layer at an interface between the oxide layer and the silicon wafer interior. The cooling of the wafer is also controlled to permit diffusion of atoms of the contaminant from the silicon wafer interior to the strain layer. Then the silicon wafer is then cleaned to remove the oxide layer and the strain layer, thereby removing said contaminant having diffused to the strain layer.
(FR)La présente invention concerne un processus permettant d'éliminer une impureté sélectionnée parmi cuivre, nickel et une combinaison de ces éléments, d'une plaquette de silicium possédant une surface est un intérieur. Ce processus consiste à refroidir la plaquette de silicium dans une atmosphère commandée à une température d'initiation d'oxydation ou supérieure à celle-ci et à initier une atmosphère contenant un flux d'oxygène à cette température d'initiation d'oxydation de façon à créer une ambiance oxydante autour de la surface de la plaquette de silicium afin de former une couche d'oxyde sur cette surface et une couche de contrainte au niveau de l'interface entre cette couche d'oxyde et l'intérieur de la plaque de silicium. Le refroidissement de la plaquette est également commandé pour la diffusion des atomes de l'impureté de l'intérieur de la plaquette de silicium vers la couche de contrainte. Puis la plaquette de silicium est nettoyée de façon à éliminer la couche d'oxyde et la couche de contrainte, éliminant ainsi une impureté ayant diffusé sur la couche de contrainte.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)