WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2005114715) METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE SURFACE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/114715    International Application No.:    PCT/KR2005/001356
Publication Date: 01.12.2005 International Filing Date: 10.05.2005
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: PSK INC. [KR/KR]; 430-3 Mogok-dong, Gyunggi-do, Pyungtaek-city 459-040 (KR) (For All Designated States Except US)
Inventors: LEE, Gil-Gwang; (KR).
KIM, Jeong-Ho; (KR)
Agent: KWON, Hyuk-Soo; 3rd Fl., 827-25 Yeoksam-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-080 (KR)
Priority Data:
10/850,261 20.05.2004 US
Title (EN) METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE SURFACE
(FR) PROCEDE DE NETTOYAGE DE LA SURFACE D'UN SUBSTRAT
Abstract: front page image
(EN)There is provided a surface cleaning apparatus and method using plasma to remove a native oxide layer, a chemical oxide layer, and a damaged portion from a silicon substrate surface, and contaminants from a metal surface. A mixture of H and N gas is used as a first processing gas. By absorbing potential in a grounded grid or baffle between a plasma generator and a substrate, only radicals are passed to the substrate, and HF gas is used as a second processing gas. Thus a native oxide layer, a chemical oxide layer, or a damaged portion formed on the silicon substrate during etching is removed in annealing step with H flow. The environment of a chamber is maintained constant by introducing a conditioning gas after each wafer process. Therefore, process repeatability is improved.
(FR)Appareil et procédé de nettoyage d'une surface à l'aide d'un plasma dans le but d'éliminer une couche d'oxyde natif, une couche d'oxyde chimique, et une partie abîmée de la surface d'un substrat en silicium, ainsi que des contaminants à partir d'une surface métallique. On utilise à titre de premier gaz de traitement un mélange de gaz H et N. L'absorption du potentiel dans une grille ou un déflecteur mis(e) à la terre entre un générateur de plasma et un substrat permet de n'autoriser le passage sur le substrat que de radicaux, et un gaz HF sert de deuxième gaz de traitement. Par conséquent on assure l'élimination d'une couche d'oxyde natif, d'une couche d'oxyde chimique, et d'une partie abîmée formée à la surface d'un substrat en silicium lors de la gravure, cette élimination étant réalisée par recuit sous flux de H. On préserve un environnement constant dans la chambre par introduction d'un gaz de conditionnement après chaque traitement de plaquette. Ceci favorise la reproductibilité du traitement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)