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1. (WO2005114692) IN-SITU PROCESS CHAMBER PREPARATION METHODS FOR PLASMA ION IMPLANTATION SYSTEMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/114692    International Application No.:    PCT/US2005/017699
Publication Date: 01.12.2005 International Filing Date: 19.05.2005
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US) (For All Designated States Except US).
SINGH, Vikram [US/US]; (US) (For US Only).
GUPTA, Atul [IN/US]; (US) (For US Only).
PERSING, Harold, M. [US/US]; (US) (For US Only).
WALTHER, Steven, R. [US/US]; (US) (For US Only).
TESTONI, Anne, L. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SINGH, Vikram; (US).
GUPTA, Atul; (US).
PERSING, Harold, M.; (US).
WALTHER, Steven, R.; (US).
TESTONI, Anne, L.; (US)
Agent: McCLELLAN, William, R.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C., 600 Atlantic Avenue, Boston, MA 02210 (US)
Priority Data:
10/850,222 20.05.2004 US
Title (EN) IN-SITU PROCESS CHAMBER PREPARATION METHODS FOR PLASMA ION IMPLANTATION SYSTEMS
(FR) METHODES DE PREPARATION DE CHAMBRE DE TRAITEMENT IN SITU POUR DES SYSTEMES D'IMPLANTATION PAR IONS PLASMATIQUES
Abstract: front page image
(EN)A method for plasma ion implantation of a substrate includes providing a plasma ion implantation system including a process chamber, a source for producing a plasma in the process chamber, a platen for holding the substrate in the process chamber, and a voltage source for accelerating ions from the plasma into the substrate, depositing on interior surfaces of the process chamber a fresh coating that is similar in composition to a deposited film that results from plasma ion implantation of the substrate, before depositing the fresh coating, cleaning interior surfaces of the process chamber by removing an old film using one or more activated cleaning precursors, plasma ion implantation of the substrate according to a plasma ion implantation process, and repeating the steps of cleaning interior surfaces of the process chamber and depositing a fresh coating following plasma ion implantation of one or more substrates.
(FR)L'invention concerne une méthode pour une implantation par ions plasmatiques d'un substrat. Cette méthode consiste à fournir un système d'implantation par ions plasmatiques. Ce système comprend une chambre de traitement, une source pour produire un plasma dans la chambre de traitement, une plaque pour maintenir le substrat dans la chambre de traitement, et une source de tension pour accélérer l'entrée des ions, du plasma dans le substrat. La méthode consiste à: déposer sur des surfaces intérieures de la chambre de traitement, un nouveau revêtement qui est analogue au niveau de sa composition, à un film déposé résultant de l'implantation par ions plasmatiques du substrat, avant de déposer le nouveau revêtement, nettoyer les surfaces intérieures de la chambre de traitement, en retirant un ancien film, au moyen d'au moins un précurseur de nettoyage activé, implanter le substrat par ions plasmatiques, selon un procédé d'implantation par ions plasmatiques, et répéter les étapes se nettoyage des surfaces intérieures de la chambre de traitement, puis déposer un nouveau revêtement, suite à l'implantation par ions plasmatiques d'au moins un substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)