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1. (WO2005114315) LIQUID CRYSTAL PANEL USING THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/114315    International Application No.:    PCT/KR2005/001169
Publication Date: 01.12.2005 International Filing Date: 22.04.2005
IPC:
G02F 1/136 (2006.01)
Applicants: ILJIN DISPLAY CO., LTD. [KR/KR]; 614-2 Oryu-ri, Daeso-myeon, Umsung-gun, Chungcheongbuk-do 369-824 (KR) (For All Designated States Except US).
JANG, Seok Pil [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KIM, Hong Ryul [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: JANG, Seok Pil; (KR).
KIM, Hong Ryul; (KR)
Agent: PARK, Kyeong Hun; Seoultech Int'l Patent & Law Firm, 2Fl., Kumma Bldg., 827-24 Yeoksam-dong, Kangnam-gu, Seoul 135-080 (KR)
Priority Data:
10-2004-0028038 23.04.2004 KR
Title (EN) LIQUID CRYSTAL PANEL USING THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
(FR) PANNEAU A CRISTAUX LIQUIDES UTILISANT UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)The present invention generally relates to a liquid crystal panel using a thin film transistor and a manufacturing method thereof, and more specifically to a liquid crystal panel using a thin film transistor and a manufacturing method thereof for improving an opening ratio by forming a storage capacitor under a channel. The present invention has suggested a method for effectively contacting an upper electrode for forming a capacitor with a lower electrode since the storage capacitor is located under the channel. Compared to a prior art in which one of storage capacitor electrodes is formed side by side with a channel of a thin film transistor, capacitor electrodes formed according to the present invention are located near to a substrate, thereby forming contact electrodes in many times without forming them one time.
(FR) L'invention concerne d'une manière générale un panneau à cristaux liquides utilisant un transistor en couches minces et un procédé de fabrication de ce panneau. Plus précisément, l'invention concerne un panneau à cristaux liquides utilisant un transistor en couches minces et un procédé de fabrication de ce panneau en vue d'améliorer un rapport d'ouverture par formation d'un condensateur de stockage sous un canal. L'invention concerne un procédé permettant de mettre en contact efficacement une électrode supérieure pour former un condensateur avec une électrode inférieure, étant donné que le condensateur de stockage est situé sous ledit canal. Par rapport à la technique actuelle dans laquelle une des électrodes du condensateur de stockage est formée côte à côte avec un canal d'un transistor en couches minces, les électrodes du condensateur selon l'invention sont situées à proximité d'un substrat, formant ainsi des électrodes de contact en plusieurs fois sans les former en une fois. . . .
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)