WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2005114266) HIGH-REFLECTING DIELECTRIC MIRROR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/114266    International Application No.:    PCT/DE2005/000941
Publication Date: 01.12.2005 International Filing Date: 23.05.2005
IPC:
G02B 5/08 (2006.01)
Applicants: JENOPTIK LASER OPTIK SYSTEME GMBH [DE/DE]; Göschwitzer Strasse 25, 07745 Jena (DE) (For All Designated States Except US).
BERNITZKI, Helmut [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FASOLD, Dieter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KLAUS, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LAUX, Sven [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BERNITZKI, Helmut; (DE).
FASOLD, Dieter; (DE).
KLAUS, Michael; (DE).
LAUX, Sven; (DE)
Agent: BERTRAM, Helmut; Oehmke & Kollegen, Neugasse 13, 07743 Jena (DE)
Priority Data:
10 2004 025 646.2 24.05.2004 DE
Title (DE) HOCHREFLEKTIERENDER DIELEKTRISCHER SPIEGEL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) HIGH-REFLECTING DIELECTRIC MIRROR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) MIROIR DIELECTRIQUE A HAUTE REFLEXION ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(DE)Bei hochreflektierenden dielektrischen Spiegeln für ausgewählte Wellenlängen im Bereich von 170 nm bis 230 nm sollbei verbesserter Haftung der dielektrischen Schichten, insbesondere auf einem kostengünstigen optischen Substrat, eine Rissbildung in den dielektrischen Schichten vermieden, die Laserfestigkeit erhöht und Verluste minimiert werden. Die dielektrischen Schichten bilden einen ersten Stapel von alternierenden hoch- und niedrigbrechenden oxidischen Schichten und einen zweiten Stapel von alternierenden hoch­und niedrigbrechenden fluoridischen Schichten, von denen der erste Stapel auf dem optischen Substrat und der zweite Stapel auf dem ersten Stapel aufgebracht ist. Sowohl in den hoch- als auch in den niedrigbrechenden Schichten des ersten Stapels sind Druckspannungen vorhanden, die zur Kompensation von Zugspannungen in den fluoridischen Schichten dienen.
(EN)The invention relates to high-reflecting dielectric mirrors for selected wavelengths ranging from 170 nm to 230 nm. The aim of the invention is to create better adherence of the dielectric layers, particularly on a low-cost substrate, to avoid the formation of fractures in the dielectric layers, to increase laser resistance and minimize losses. The dielectric layers form a first stack of alternating high and low refractive oxidic layers and a second stack of alternating high and low refractive fluoridic layers, wherein the first stack is arranged on the optical substrate and the second stack is arranged on the first stack. Compression stress is present in the high and low refractive layers of the first stack and is used to compensate tensile stress in the fluoridic layers.
(FR)L'invention concerne des miroirs diélectriques à haute réflexion destinés à des longueurs d'ondes sélectionnées de la plage de 170 nm à 230 nm. L'invention vise à empêcher un fendillement des couches diélectriques, à augmenter la résistance au laser et à réduire les pertes tout en améliorant l'adhérence des couches diélectriques, notamment sur un substrat optique économique. Les couches diélectriques constituent un premier empilement de couches oxydantes alternativement à haut et faible pouvoir réfringent et un deuxième empilement de couches contenant des fluorures alternativement à haut et faible pouvoir réfringent. Le premier empilement est posé sur le substrat optique et le deuxième empilement est posé sur le premier empilement. Dans les couches à haut comme à faible pouvoir réfringent du premier empilement, les contraintes de compression permettent de compenser les contraintes de traction régnant dans les couches contenant des fluorures.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)