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1. (WO2005114095) APPARATUS AND METHODS FOR OVERLAY, ALIGNMENT MARK, AND CRITICAL DIMENSION METROLOGIES BASED ON OPTICAL INTERFEROMETRY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/114095    International Application No.:    PCT/US2005/018060
Publication Date: 01.12.2005 International Filing Date: 23.05.2005
IPC:
G01B 9/02 (2006.01)
Applicants: ZETETIC INSTITUTE [US/US]; Suite 206, 1665 East 18th Street, Tucson, AZ 85719 (US) (For All Designated States Except US).
HILL, Henry, Allen [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: HILL, Henry, Allen; (US)
Agent: PRAHL, Eric, L.; Wilmer Cutler Pickering Hale and Dorr LLP, 60 State Street, Boston, MA 02109 (US)
Priority Data:
60/573,196 21.05.2004 US
Title (EN) APPARATUS AND METHODS FOR OVERLAY, ALIGNMENT MARK, AND CRITICAL DIMENSION METROLOGIES BASED ON OPTICAL INTERFEROMETRY
(FR) APPAREILS ET PROCEDES DE MESURE DE RECOUVREMENTS, DE MARQUES D'ALIGNEMENT ET DE DIMENSIONS CRITIQUES FAISANT APPEL A L'INTERFEROMETRIE OPTIQUE
Abstract: front page image
(EN)Methods and apparatus (100, 110) are disclosed for measurement of critical dimensions (CD) of features and detection of defects in reflecting UV, VUV, and EUV lithography masks and in transmitting UV and VUV lithography masks. The measured CD's may be used in the determination of optical proximity corrections (OPC) and/or in mask fabrication process control. The transmitting masks may comprise binary and various types of phase shift masks.
(FR)La présente invention se rapporte à des procédés et des appareils basés sur l'interférométrie à déplacement homodyne optique, la réflectométrie à domaine de cohérence optique (OCDR), et l'imagerie interférométrique optique, qui sont destinés à la mesure de recouvrements, de motifs d'alignement et de dimensions critiques, et qui peuvent être utilisés dans des applications de microlithographie et appliqués à la fabrication circuits intégrés (IC) et de masques, ainsi qu'à la détection et à la localisation de défauts dans/sur des plaquettes et des masques présentant des motifs ou non. Les mesures peuvent également être utilisées dans la commande avancée de processus (APC), pour déterminer des décalages induits par la plaquette (WIS), et pour déterminer des corrections de proximité optique (OPC).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)