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1. (WO2005112122) NANOWIRE VARACTOR DIODE AND METHODS OF MAKING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/112122    International Application No.:    PCT/US2005/008891
Publication Date: 24.11.2005 International Filing Date: 17.03.2005
IPC:
H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/93 (2006.01), H01L 31/0352 (2006.01)
Applicants: NANOSYS, INC. [US/US]; 2625 Hanover Street, Palo Alto, CA 94304 (US) (For All Designated States Except US).
STUMBO, David [US/US]; (US) (For US Only).
CHEN, Jian [CN/US]; (US) (For US Only).
HEALD, David [US/US]; (US) (For US Only).
PAN, Yaoling [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: STUMBO, David; (US).
CHEN, Jian; (US).
HEALD, David; (US).
PAN, Yaoling; (US)
Agent: FEATHERSTONE, Donald J.; Sterne, Kessler, Goldstein & Fox, P.L.L.C., 1100 New York Avenue, N.W., Washington, DC 20005 (US)
Priority Data:
10/806,361 23.03.2004 US
Title (EN) NANOWIRE VARACTOR DIODE AND METHODS OF MAKING SAME
(FR) DIODE VARACTOR A NANOFIL ET PROCEDES DE FABRICATION ASSOCIES
Abstract: front page image
(EN)A nanowire varactor diode (200) and methods of making the same are disclosed. The structure comprises a coaxial capacitor running the length of the semiconductor nanowire (100). In one embodiment, a semiconductor nanowire (100) of a first conductivity type is deposited on a substrate. An insulator (102) is formed on at least a portion of the nanowire's surface. A region of the nanowire is doped with a second conductivity type material. A first electrical contact is formed on at least part of the insulator and the doped region. A second electrical contact is formed on a non-doped portion of the nanowire (100). During operation, the conductivity type at the surface of the nanowire inverts and a depletion region is formed upon application of a voltage to the first and second electrical contacts. The varactor diode (200) thereby exhibits variable capacitance as a function of the applied bias.
(FR)L'invention concerne une diode varactor à nanofil et des procédés de fabrication associés. La structure est composée d'un condensateur coaxial s'étendant sur la longueur du nanofil semi-conducteur. Dans un mode de réalisation, un nanofil semi-conducteur d'un premier type de conductivité est déposé sur un substrat. Un isolant est formé sur au moins une partie de la surface du nanofil. Une région du nanofil est dopée avec une matière d'un deuxième type de conductivité. Un premier contact Electrique est formé sur au moins une partie de l'isolant et de la région dopée. Un deuxième contact Electrique est formé sur une partie non dopée du nanofil. En cours de fonctionnement, le type de conductivité au niveau de la surface du nanofil s'inverse et une région d'appauvrissement est formée lors de l'application d'une tension aux premier et second contacts Electriques. Cette diode varactor présente par conséquent une capacité variable qui est fonction de la tension appliquée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)