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1. (WO2005112082) CYCLIC PULSED TWO-LEVEL PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/112082    International Application No.:    PCT/KR2005/001382
Publication Date: 24.11.2005 International Filing Date: 12.05.2005
Chapter 2 Demand Filed:    07.02.2006    
IPC:
H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: IPS LTD. [KR/KR]; 33 Jije-dong, Pyungtaek, Kyungki-do 450-090 (KR) (For All Designated States Except US).
PARK, Young Hoon; (KR) (For US Only).
LIM, Hong Joo; (KR) (For US Only).
LEE, Sahng Kyoo; (KR) (For US Only).
SEO, Tae Wook; (KR) (For US Only).
CHANG, Ho Seung; (KR) (For US Only)
Inventors: PARK, Young Hoon; (KR).
LIM, Hong Joo; (KR).
LEE, Sahng Kyoo; (KR).
SEO, Tae Wook; (KR).
CHANG, Ho Seung; (KR)
Agent: LEE, Cheol-Hee; 201 Woo Kyeong Bldg., 156-13 Samseong-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-090 (KR)
Priority Data:
10-2004-0035119 18.05.2004 KR
Title (EN) CYCLIC PULSED TWO-LEVEL PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE DEPOT DE COUCHE ATOMIQUE PLASMIQUE A DEUX NIVEAUX ET A IMPULSIONS CYCLIQUES
Abstract: front page image
(EN)Provided is a n apparatus for depositing a cyclic pulsed two-level plasma atomic layer to deposit a thin film on a substrate, which includes a substrate support plate loading and supporting the substrate, a reaction chamber including the substrate support plate and providing reaction space, a process gas supply and control unit supplying process gas such as source gas, reaction gas, and purge gas to the reaction chamber, a source gas supply pipe supplying the source gas from the process gas supply and control unit to the reaction chamber, a reaction gas activation unit activating the reaction gas, a reaction gas supply pipe through which the reaction gas is supplied from the process gas supply and control unit to the reaction chamber via the reaction gas activation unit, a variable RF power supply unit having a function of generating plasma having at least two-level energy intensity in the reaction chamber, and an exhaust unit purging the process gas in the reaction chamber.
(FR)L'invention concerne un appareil n permettant de déposer une couche atomique plasmique à deux niveaux et à impulsions cycliques, aux fins de dépôt d'un film mince sur un substrat et comprenant une plaque support de substrat chargeant et supportant le substrat, une chambre de réaction comprenant ladite plaque et conférant un espace de réaction, une unité d'alimentation et de commande de gaz de procédé fournissant du gaz de procédé, tel qu'un gaz de source, un gaz de réaction et un gaz de purge, dans la chambre de réaction, un tuyau d'alimentation de gaz de source fournissant le gaz de source à partir de l'unité d'alimentation et de commande de gaz de procédé dans la chambre de réaction, une unité d'activation de gaz de réaction activant le gaz de réaction, un tuyau d'alimentation de gaz de réaction à travers lequel le gaz de réaction est alimenté à partir de l'unité d'alimentation et de commande de gaz de procédé dans la chambre de réaction via l'unité d'activation de gaz de réaction, une unité d'alimentation de puissance RF variable possédant une fonction consistant à produire du plasma possédant au moins une intensité d'énergie de deux niveaux dans la chambre de réaction et une unité d'échappement purgeant le gaz de procédé dans la chambre de réaction.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)