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1. (WO2005109512) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/109512    International Application No.:    PCT/JP2005/008467
Publication Date: 17.11.2005 International Filing Date: 27.04.2005
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Applicants: CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 3-30-2, Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo 1468501 (JP) (For All Designated States Except US).
TAMURA, Seiichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YUZURIHARA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ICHIKAWA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MISHIMA, Ryuichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAMURA, Seiichi; (JP).
YUZURIHARA, Hiroshi; (JP).
ICHIKAWA, Takeshi; (JP).
MISHIMA, Ryuichi; (JP)
Agent: OKABE, Masao; No. 602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2004-137411 06.05.2004 JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SA MÉTHODE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)The present invention, in a photoelectric conversion device in which a pixel including a photoelectric conversion device for converting a light into a signal charge and a peripheral circuit including a circuit for processing the signal charge outside a pixel region in which the pixel are disposed on the same substrate, comprising: a first semiconductor region of a first conductivity type for forming the photoelectric region, the first semiconductor region being formed in a second semiconductor region of a second conductivity type; and a third semiconductor region of the first conductivity type and a fourth semiconductor region of the second conductivity type for forming the peripheral circuit, the third and fourth semiconductor regions being formed in the second semiconductor region; wherein in that the impurity concentration of the first semiconductor region is higher than the impurity concentration of the third semiconductor region.
(FR)La présente invention, posée dans un dispositif de conversion photoélectrique, permet à un pixel avec un dispositif de conversion photoélectrique de transformer une lumière en une charge de signal et un circuit périphérique comprenant un circuit pour traiter la charge de signal en dehors d'une région de pixels dans laquelle les pixels sont disposés sur le même substrat, comprenant : une première région de semi-conducteurs d'un premier type de conductivité pour former la région photoélectrique, la première région de semi-conducteurs étant constituée dans une deuxième région de semi-conducteur d'un deuxième type de conductivité ; une troisième région de semi-conducteur du premier type de conductivité et une quatrième région de semi-conducteur du deuxième type de conductivité pour former le circuit périphérique, les troisième et quatrième régions de semi-conducteur étant constituées dans la deuxième région de semi-conducteur ; dans cela, la concentration des impuretés de la première région de semi-conducteur est supérieure à la concentration en impuretés de la troisième région de semi-conducteurs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)