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1. (WO2005109501) ESD PROTECTION STRUCTURE WITH SiGe BJT DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/109501    International Application No.:    PCT/US2005/014657
Publication Date: 17.11.2005 International Filing Date: 28.04.2005
IPC:
H01L 23/62 (2006.01), H01L 29/72 (2006.01), H01L 29/74 (2006.01), H01L 31/111 (2006.01), H01L 31/119 (2006.01)
Applicants: WJ COMMUNICATIONS, INC. [US/US]; 401 River Oaks Parkway, San Jose, California 95134 (US) (For All Designated States Except US).
FUNG, Greg [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: FUNG, Greg; (US)
Agent: SWIATEK, Maria, S.; Dorsey & Whitney LLP, 4 Embarcadero Center, Suite 3400, San Francisco, California 94111 (US)
Priority Data:
60/567,113 30.04.2004 US
11/116,807 27.04.2005 US
Title (EN) ESD PROTECTION STRUCTURE WITH SiGe BJT DEVICES
(FR) STRUCTURE DE PROTECTION CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES DOTEE DE DISPOSITIFS BJT SIGE
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides an ESD protection device or structure that exploits the high conductivity of a heavily doped heterojunction base of a standard SiGe bipolar junction transistor (BJT) cell. This improved ESD protection scheme further uses the combination of trench isolation and buried subcollector layer of the SiGe BJT to confine ESD current, minimizing parasitic substrate leakage and achieving large forward voltages while imposing minimal parasitic capacitive loads on a protected active device. Since the ESD protection structure is formed from conventional SiGe BJT transistor cells through modification of the contact metallization, it can be fabricated in an available SiGe BiCMOS fabrication process without additional processing steps, and characterization data already available for the SiGe BJTs can be used to model the performance of the ESD protection devices.
(FR)Cette invention concerne un dispositif ou une structure de protection contre les décharges électrostatiques qui utilise la forte conductivité d'une base d'hétérojonction fortement dopée d'une cellule de transistor bipolaire à jonctions SiGe standard. Ce système de protection contre les décharges électrostatiques perfectionné utilise également la combinaison d'une isolation de tranche et d'une couche de sous-collecteur enterrée du transistor bipolaire à jonctions SiGe pour confiner le courant de décharge électrostatique, ce qui réduit au minimum la fuite du substrat parasite et permet d'obtenir d'importantes tensions directes tout en appliquant des charges capacitives parasitaires minimales sur un dispositif actif protégé. Du fait que la structure de protection contre les décharges électrostatiques est composée de cellules de transistor bipolaire à jonctions SiGe conventionnelles par modification de la métallisation de contact, elle peut être fabriquée selon un processus de fabrication BiCMOS SiGe disponible sans l'aide d'étapes de traitement supplémentaires, et les données de caractérisation déjà disponibles pour les transistors bipolaires à jonctions SiGe peuvent être utilisées pour modéliser les performances des dispositifs de protection contre les décharges électrostatiques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)