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1. (WO2005109491) METHODS OF FORMING ELECTRICAL CONNECTIONS FOR SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/109491    International Application No.:    PCT/US2005/014951
Publication Date: 17.11.2005 International Filing Date: 28.04.2005
Chapter 2 Demand Filed:    05.12.2005    
IPC:
H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID 83716 (US)
Inventors: TRAN, Luan, C.; (US).
FISHBURN, Fred, D.; (US)
Agent: LATWESEN, David, G.; Wells St. John P.S., 601 W. 1st Ave., Spokane, WA 99201 (US)
Priority Data:
10/841,708 06.05.2004 US
Title (EN) METHODS OF FORMING ELECTRICAL CONNECTIONS FOR SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS
(FR) METHODES DE FORMATION DE CONNEXIONS ELECTRIQUES POUR DES CONSTRUCTIONS SEMI-CONDUCTRICES
Abstract: front page image
(EN)The invention includes methods for forming electrical connections associated with semiconductor constructions. A semiconductor substrate is provided which has a conductive line thereover, and which has at least two diffusion regions adjacent the conductive line. A patterned etch stop is formed over the diffusion regions. The patterned etch stop has a pair of openings extending through it, with the openings being along a row substantially parallel to an axis of the line. An insulative material is formed over the etch stop. The insulative material is exposed to an etch to form a trench within the insulative material, and to extend the openings from the etch stop to the diffusion regions. At least a portion of the trench is directly over the openings and extends along the axis of the line. An electrically conductive material is formed within the openings and within the trench.
(FR)L'invention concerne des méthodes de formation de connexions électriques associées à des constructions semi-conductrices. Un substrat semi-conducteur est doté d'une ligne conductrice située sur ce substrat, et présente au moins deux zones de diffusion adjacentes à cette ligne conductrice. Un arrêt d'attaque à motif est formé sur les zones de diffusion. Cet arrêt d'attaque à motif présente une paire d'ouvertures s'étendant à travers celui-ci, les ouvertures étant situées le long d'une rangée sensiblement parallèle à un axe de la ligne. Une matière isolante est formée sur l'arrêt d'attaque. Cette matière isolante est exposée à une attaque pour former une tranchée à l'intérieur de la matière isolante, et pour étendre les ouvertures, de l'arrêt d'attaque aux zones de diffusion. Au moins une partie de la tranchée est située directement au-dessus des ouvertures et s'étend le long de l'axe de la ligne. Une matière électriquement conductrice est formée à l'intérieur des ouvertures et à l'intérieur de la tranchée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)