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1. (WO2005109475) ZEOLITE FILMS FOR LOW K APPLICATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/109475    International Application No.:    PCT/US2005/015647
Publication Date: 17.11.2005 International Filing Date: 04.05.2005
IPC:
H01L 21/31 (2006.01)
Applicants: CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 1201 East California Boulevard, Pasadena, CA 91125-4568 (US) (For All Designated States Except US).
DAVIS, Mark, E. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: DAVIS, Mark, E.; (US)
Agent: ROSE, Flavio, M.; Mintz Levin Cohn Ferris Glovsky and Popeo, P.C., 1400 Page Mill Road, Palo Alto, CA 94304-1124 (US)
Priority Data:
60/567,912 04.05.2004 US
Title (EN) ZEOLITE FILMS FOR LOW K APPLICATIONS
(FR) FILMS DE ZEOLITE POUR APPLICATIONS DE FAIBLE K
Abstract: front page image
(EN)A method is provided for making an integrated circuit dielectric. A structure-directing agent (SDA) is provided. Preferably this structure-directing agent is a salt of a polycyclic organic compound. By use of the structure-directing agent, a film of a zeolite having a framework density below 15 T atoms per 1000 cubic angstroms and comprising primarily silicon and/or germanium atoms in the T positions is provided on a semiconductor substrate. Preferably the zeolite has the LTA structure. The structure-directing agent is removed from the film. The removal may be effected, for example, by heating or by chemically and/or photochemically decomposing the structure-directing agent, preferably in a manner which allows it to be recovered. The film is then optionally modified to reduce its hydrophilicity.
(FR)Il est prévu un procédé de fabrication de circuit intégré diélectrique. Un agent directeur de structure (ADS) est prévu. De préférence, cet agent directeur de structure est un sel de composé organique polycyclique. L’utilisation d’un agent directeur de structure permet de déposer un film de zéolite d’une densité de trame inférieure à 15 T atomes pour 1000 angstroems cubes et comprenant principalement des atomes de silicium et/ou de germanium aux positions T, sur un substrat semi-conducteur. De préférence, la zéolite présente la structure LTA. On retire du film l’agent directeur de structure. Cette opération d’enlèvement peut s’effectuer, par exemple, par chauffage ou par décomposition chimique et/ou photochimique de l’agent directeur de structure, de préférence de manière à pouvoir le récupérer. On peut alors éventuellement modifier le film pour réduire son hydrophilie.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)