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1. (WO2005108643) METHOD AND DEVICE FOR THE LOW-TEMPERATURE EPITAXY ON A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/108643    International Application No.:    PCT/EP2005/052123
Publication Date: 17.11.2005 International Filing Date: 10.05.2005
IPC:
C23C 16/54 (2006.01), H01L 21/677 (2006.01)
Applicants: IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK [DE/DE]; Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder) (DE) (For All Designated States Except US).
GRABOLLA, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RITTER, Georg [DE/DE]; (DE) (For US Only).
TILLACK, Bernd [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: GRABOLLA, Thomas; (DE).
RITTER, Georg; (DE).
TILLACK, Bernd; (DE)
Agent: EISENFÜHR, SPEISER & PARTNER; Anna-Louisa-Karsch-Strasse 2, 10178 Berlin (DE)
Priority Data:
10 2004 024 207.0 10.05.2004 DE
Title (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR NIEDERTEMPERATUREPITAXIE AUF EINER VIELZAHL VON HALBLEITERSUBSTRATEN
(EN) METHOD AND DEVICE FOR THE LOW-TEMPERATURE EPITAXY ON A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR EPITAXIE A BASSE TEMPERATURE SUR UNE PLURALITE DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(DE)Verfahren zur Abscheidung von Schichten auf einer Vielzahl von Halbleitersubstraten gleichzeitig, mit den Schritten Reinigung mindestens je einer Oberfläche der Substrate in einem ersten Reaktor bei einer ersten Substrattemperatur Tred, Transport der Substrate vom ersten in einen zweiten Reaktor nachfolgende Abscheidung mindestens je einer Schicht auf den Halbleitersubstraten im zweiten Reaktor bei einer zweiten Substrattemperatur Tdep, wobei die Substrate während der Reinigung und während des Transports vom ersten in den zweiten Reaktor unterbrechungsfrei in einer reduzierenden Gasatmosphäre bewegt oder gelagert werden, solange die Substrattemperatur über einer vom Substratmaterial und dem Material der mindestens einen abzuscheidenden Schicht abhängigen kritischen Temperatur Tc liegt.
(EN)The inventive method for simultaneously depositing layers on a plurality of semiconductor substrates consists in cleaning at least one substrate surface every time in a first reactor (21) at a first substrate temperature Tred, in transporting said substrate from the first to a second reactor (24), in subsequently depositing every time at least one layer on the semiconductor substrates in the second reactor at a second substrate temperature Tdep, wherein the substrates are displaced or stored without any interruption in a reducing gas atmosphere during cleaning and transporting between the first and the second reactor until the substrate temperature is greater than a critical temperature Tc depending on the substrate and depositable layer(s) materials.
(FR)L'invention concerne un procédé pour déposer simultanément des couches sur une pluralité de substrats semi-conducteurs, ce procédé comprenant les étapes suivantes, consistant à: nettoyer à chaque fois au moins une surface de substrat dans un premier réacteur (21) à une première température de substrat Tred; transporter le substrat du premier au deuxième réacteur (24); puis déposer à chaque fois au moins une couche sur les substrats semi-conducteurs dans le deuxième réacteur à une deuxième température de substrat Tdep, les substrats étant déplacés ou stockés sans interruption dans une atmosphère gazeuse réductrice pendant le nettoyage et le transport entre le premier et le deuxième réacteur, tant que la température de substrat est supérieure à une température critique Tc qui dépend de la matière du substrat et de la matière de la couche ou des couches à déposer.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)